GB/T 6617-2009
硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
GBT6617-2009, GB6617-2009
GB/T 6617-2009 發布歷史
GB/T 6617-2009由國家質檢總局 CN-GB 發布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 實施。
GB/T 6617-2009 在中國標準分類中歸屬于: H80 半金屬與半導體材料綜合，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 6617-2009 。
GB/T 6617-2009 發布之時，引用了標準
- GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法*， 2011-01-10 更新
- GB/T 1550 非本征半導體材料導電類型測試方法*， 2018-12-28 更新
- GB/T 1552 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
- GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法*， 2023-08-06 更新
* 在 GB/T 6617-2009 發布之后有更新，請注意新發布標準的變化。
GB/T 6617-2009的歷代版本如下：
- 2009年 GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
- 1995年 GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層 的電阻率，測量范圍：10Ω·cm～10 Ω·cm。
- 標準號
- GB/T 6617-2009
- 別名
- GBT6617-2009
GB6617-2009 - 發布
- 2009年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 6617-2009
- 引用標準
- GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555
- 被代替標準
- GB/T 6617-1995