GB/T 6617-2009
硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
GBT6617-2009, GB6617-2009
- 標準號
- GB/T 6617-2009
- 別名
- GBT6617-2009, GB6617-2009
- 發布
- 2009年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 6617-2009
- 引用標準
- GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555
- 被代替標準
- GB/T 6617-1995
- 適用范圍
- 本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層 的電阻率，測量范圍：10-3Ω·cm～102 Ω·cm。