半導體與紫外光
本專題涉及半導體與紫外光的標準有120條。
國際標準分類中，半導體與紫外光涉及到光學和光學測量、分析化學、光電子學、激光設備、集成電路、微電子學、陶瓷、半導體分立器件、半導體材料、無機化學、獸醫學、電子元器件綜合。
在中國標準分類中，半導體與紫外光涉及到無機化工原料綜合、半導體發光器件、光電子器件綜合、激光器件、特種陶瓷、半金屬與半導體材料綜合、無機鹽、、計算機應用、半導體集成電路、半導體光敏器件、電力半導體器件、部件、基礎標準與通用方法、半導體分立器件綜合、微電路綜合。
法國標準化協會，關于半導體與紫外光的標準
- NF ISO 10677:2011 技術陶瓷 用于測試半導體光催化材料的紫外光源
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 細瓷（高級陶瓷、高級工業陶瓷）測試半導體光催化材料所用的紫外光源
- NF EN 62007-1/A1:2022 光纖系統中應用的光電半導體器件第1部分：與基本值和特性相關的規格模型
- NF EN 62007-1:2015 光纖系統中應用的光電半導體器件第1部分：與基本值和特性相關的規格模型
- NF EN 2714-008:2007 航空航天系列 - 電氣電纜，單導體和多導體通用 - 工作溫度從 -55oC 到 260oC - 第 008 部分：屏蔽（編織）和護套，可紫外激光打標 - 產品標準
- NF EN 2266-007:2006 航空航天系列 - 通用電氣電纜 - 工作溫度從 -55oC 到 200oC - 第 007 部分：紫外激光打標護套多導體 - 產品標準
- NF EN 2713-011:2006 航空航天系列 - 一般用途的單導體和多導體電纜 - 工作溫度在 -55oC 和 200oC 之間 - 第 011 部分：鍍銀銅，屏蔽（包裹和護套），可紫外激光打標 - 標準...
- NF EN 2713-007:2006 航空航天系列 - 一般用途的單導體和多導體電纜 - 工作溫度在 -55oC 和 200oC 之間 - 第 007 部分：屏蔽（覆蓋）和護套，可紫外激光打標 - 產品標準
- XP PR EN 2712-007:1996 航空航天系列 - 一般用途的單導體和多導體電纜 - 工作溫度在 - 55 攝氏度和 150 攝氏度之間 - 第 007 部分：鎧裝（包裹）和護套，紫外激光打標...
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于半導體與紫外光的標準
- GB/T 37131-2018 納米技術 半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法
- GB/T 39771.1-2021 半導體發光二極管光輻射安全 第1部分：要求與等級分類方法
行業標準-電子，關于半導體與紫外光的標準
- SJ/T 11818.1-2022 半導體紫外發射二極管 第1部分：測試方法
- SJ/T 11818.2-2022 半導體紫外發射二極管 第2部分：芯片規范
- SJ/T 11818.3-2022 半導體紫外發射二極管 第3部分：器件規范
- SJ 2684-1986 半導體發光(可見光)器件外形尺寸
- SJ 2247-1982 半導體光電子器件外形尺寸
- SJ 2750-1987 半導體激光二極管外形尺寸
- SJ 2658.1-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.總則
- SJ 20744-1999 半導體材料雜質含量紅外吸收光譜分析通用導則
- SJ 2658.6-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.輸出光功率的測試方法
- SJ 50033/110-1996 半導體光電子器件GR9413型紅外發射二極管詳細規范
- SJ 53930/1-2002 半導體光電子器件.GR8813型紅外發射二極管詳細規范
- SJ 2658.4-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.電容的測試方法
- SJ 2658.12-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.峰值發射波長和光譜半寬度的測試方法
- SJ 2658.2-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.正向壓降測試方法
- SJ 2658.3-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.反向電壓測試方法
- SJ 2658.7-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.輻射通量的測試方法
- SJ 2658.10-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.調制寬帶的測試方法
- SJ 2658.13-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.輸出光功率溫度系數的測試方法
- SJ/T 2658.16-2016 半導體紅外發射二極管測量方法 第16部分:光電轉換效率
- SJ 50923/2-1995 G2-01B-M1型和G2-01B-Z1型半導體光敏器件金屬外殼詳細規范
- SJ 2658.8-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.法向輻射率的測試方法
- SJ 2658.5-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.正向串聯電阻的測試方法
- SJ 2658.11-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.脈沖響應特性的測試方法
- SJ 50923/1-1995 A6-02A-M2(Z2)和A6-01B-M1(Z1) 型半導體光耦合器金屬外殼詳細規范
- SJ 2658.9-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.輻射強度空間分布和半強度角的測試方法
- SJ/T 10827-1996 電子元器件詳細規范 半導體集成電路CJ0451型HTL雙外圍正與驅動器
- SJ/T 10826-1996 電子元器件詳細規范 半導體集成電路CJ0450型HTL雙外圍正與驅動器
- SJ/T 11067-1996 紅外探測材料中半導體光電材料和熱釋電材料常用名詞術語
- SJ/T 10828-1996 電子元器件詳細規范 半導體集成電路CJ0452型HTL雙外圍正與非驅動器
- SJ/T 2658.12-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第12部分:峰值發射波長和光譜輻射帶寬
韓國科技標準局，關于半導體與紫外光的標準
- KS D 2717-2008(2018) 紫外-可見-近紅外吸收光譜法評價單壁碳納米管煙灰的金屬/半導體比
- KS C IEC 60748-2-9:2002 半導體器件.集成電路.第2部分:數字集成電路.第9節:MOS超紫外光可刪除可編程只讀存儲器空白詳細規范
- KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) 半導體器件集成電路第2部分:數字集成電路第9節:MOS紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細規范
- KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) 半導體器件集成電路第2部分:數字集成電路第9節:MOS紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細規范
- KS C IEC 60748-2-9-2022 半導體器件 集成電路 第2部分：數字集成電路 第9節：MOS紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細規范
KR-KS，關于半導體與紫外光的標準
- KS L ISO 10677-2023 精細陶瓷（高級陶瓷、高級工藝陶瓷）半導體光催化材料測試用紫外光源
英國標準學會，關于半導體與紫外光的標準
- BS ISO 10677:2011 精細陶瓷(高級陶瓷,高級技術陶瓷).半導體光催化材料測試用紫外光源
- BS IEC 60747-14-11:2021 半導體器件 半導體傳感器 基于聲表面波的紫外、照度和溫度測量集成傳感器的測試方法
- 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導體器件 第14-11部分 半導體傳感器 一種基于聲表面波的紫外、照度、溫度測量一體化傳感器的測試方法
- 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導體器件 第14-11部分 半導體傳感器 一種基于聲表面波的紫外、照度、溫度測量一體化傳感器的測試方法
- BS QC 790106:1995 電子元件質量評估協調制度規范 半導體器件 集成電路 數字集成電路 空白詳細規范 MOS紫外光可擦電可編程只讀
- BS IEC 63068-3:2020 半導體器件 功率器件用碳化硅同質外延片缺陷無損識別標準光致發光缺陷測試方法
- 24/30490678 DC BS IEC 60747-5-18 半導體器件 第5-18部分：光電器件 發光二極管 微型發光二極管外延片的宏觀光致發光測試方法發光二極管
GSO，關于半導體與紫外光的標準
- OS GSO ISO 10677:2015 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 測試半導體光催化材料的紫外光源
- GSO ISO 10677:2015 微陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） 用于測試光催化半導體材料的紫外光源
- GSO ISO/TS 17915:2015 光學與光子學 用于傳感的半導體激光測量方法
- OS GSO ISO/TS 17915:2015 光學與光子學 傳感用半導體激光器的測量方法
- BH GSO ISO/TS 17915:2017 光學與光子學 傳感用半導體激光器的測量方法
- GSO IEC 60748-2-9:2014 半導體器件 集成電路 第2部分：數字集成電路 第9節：MOS 紫外光可擦除電可編程只讀存儲器的空白詳細規范
- OS GSO IEC 60748-2-9:2014 半導體器件 集成電路 第2部分：數字集成電路 第9節：MOS 紫外光可擦除電可編程只讀存儲器的空白詳細規范
- BH GSO IEC 60748-2-9:2016 半導體器件 集成電路 第2部分：數字集成電路 第9節：MOS 紫外光可擦除電可編程只讀存儲器的空白詳細規范
國家軍用標準-總裝備部，關于半導體與紫外光的標準
- GJB 33/15-2011 半導體光電子器件 BT401型半導體紅外發射二極管詳細規范
- GJB 8190-2015 飛機外部照明用半導體固體光源通用規范
- GJB 5018-2001 半導體光電子器件篩選與驗收通用要求
SCC，關于半導體與紫外光的標準
- SN-CWA 17857:2022 用于將光纖與紅外半導體激光器耦合的基于透鏡的適配器系統
- 09/30186157 DC BS ISO 10677 精細陶瓷（高級陶瓷、先進技術陶瓷） 用于測試半導體光催化材料的紫外光源
- BS IEC 60747-12-1:1995 分立半導體器件和集成電路 光纖系統和子系統用帶/不帶尾纖的發光/紅外發光二極管空白詳細規范
- AWWA WQTC60616 加利福尼亞州薩克拉門托 圣華金三角洲水源中特定紫外吸光度與三鹵甲烷前體之間的關系
國家質檢總局，關于半導體與紫外光的標準
- GB/T 29856-2013 半導體性單壁碳納米管的近紅外光致發光光譜表征方法
- GB/T 17574.9-2006 半導體器件.集成電路.第2-9部分:數字集成電路.紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范
國際標準化組織，關于半導體與紫外光的標準
- ISO 10677:2011 精細陶瓷(高級陶瓷,高級工業陶瓷).檢測半導光催化材料用紫外線源
中國團體標準，關于半導體與紫外光的標準
- T/NAIA 0193-2023 單鏈抗體真核表達質粒DNA 濃度與純度的測定 紫外分光光度法
美國國防后勤局，關于半導體與紫外光的標準
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外線擦除可編程邏輯器件互補型金屬氧化物半導體數字微電路
- DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅單片,紫外線可擦除可程序化邏輯陣列,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅單片互補型金屬氧化物半導體紫外線擦除可編程邏輯器件數字微電路
- DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅單片,紫外線可消除可程序化邏輯設置,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 硅單塊 互補金屬氧化物半導體紫外可編程邏輯陣列,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-91772-1993 硅單塊 互補金屬氧化物半導體,紫外可擦拭邏輯陣列,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-93248-1993 硅單片,電壓紫外線可擦除可編程邏輯陣列,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅單片互補型金屬氧化物半導體紫外線擦除可編程邏輯器件數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅單片紫外線擦除可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅單片可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導體紫外線擦除數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅單片可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導體紫外線擦除數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 硅單塊 8KX8紫外可擦除可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-91584-1992 硅單塊 紫外可擦拭編程邏輯陣列,互補金屬氧化物半導體,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 硅單塊 紫外擦拭可編程邏輯設備,互補金屬氧化物半導體,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯陣列互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設備互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-89476-1992 硅單片紫外線擦寫的可編程邏輯設備互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-93245-1993 硅單片,擴展電壓紫外線可擦除可編程邏輯陣列,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅單片,32K X 8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅單片,4K X 8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 硅單塊 144比特(32KX8)紫外可擦拭程序262互補金屬氧化物半導體,數字主存儲器微型電路
- DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅單塊 64K X8紫外線消除式可程序化只讀存儲器,,互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
- DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗輻射互補金屬氧化物半導體四重排外與門硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-96816-1996 互補金屬氧化物半導體,四重2輸入排外與門硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅單塊 互補金屬氧化物半導體64X 16比特紫外線擴展可編程序只讀存儲器,數字主體存儲器微型電路
- DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 硅單片,128K X 8位紫外線消除式可程序化只讀存儲器,高速氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 硅單片,2K X 8寄存的紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-93122-1993 硅單片,2K X 16狀態機紫外線消除式可程序化只讀存儲器,氧化物半導體數字記憶微型電路
- DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 互補金屬氧化物半導體,四重2輸入排外與門晶體管輸入硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 抗輻射互補金屬氧化物半導體四重排外或與門硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅單塊 2K X8注冊的紫外線消除式可程序化只讀存儲器,互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
- DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 雙極互補金屬氧化物半導體,四重2輸入排外與門硅單片電路數字微電路
- DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 硅單塊 互補金屬氧化物半導體紫外可擦去同步記名的可編程序邏輯設備,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅單片8K X 8位紫外線消除式可程序化只讀存儲器互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅單塊 互補金屬氧化物半導體512K X 8比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-92071-1994 硅單塊 互補金屬氧化物半導體64K X 8比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-92140-1992 硅單塊 互補金屬氧化物半導體128K X 16比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅單塊 互補金屬氧化物半導體256K X 8比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
- DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅單片功率下降16K X 8紫外線可擦除可編程序只讀存儲器互補型金屬氧化物半導體數字存儲微電路
- DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅單塊 互補金屬氧化物半導體記名32K X 8比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
RO-ASRO，關于半導體與紫外光的標準
- STAS 12258/6-1987 光電半導體器件．紅外發射二極管術語和基本特性
國際電工委員會，關于半導體與紫外光的標準
- IEC 60747-14-11:2021 半導體器件 第 14-11 部分：半導體傳感器 用于測量紫外線、照度和溫度的基于表面聲波的集成傳感器的測試方法
- IEC 60748-2-9:1994 半導體器件 集成電路 第2部分:數字集成電路 第9節:MOS紫外線擦除可編程只讀存儲器空白詳細規范
歐洲標準化委員會，關于半導體與紫外光的標準
- CWA 17857:2022 用于將光纖耦合到紅外半導體激光器的基于透鏡的適配器系統
RU-GOST R，關于半導體與紫外光的標準
- GOST 29283-1992 半導體儀器.分立器件儀器與集成電路.第5部分.光電子儀器
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components，關于半導體與紫外光的標準
- QC 790106-1994 半導體器件 集成電路 第 2 部分：數字集成電路 第 9 節：MOS 紫外光可擦除電可編程只讀存儲器的空白詳細規范 (IEC 60748-2-9)
- PQC 8 ISSUE 1-1996 半導體光電器件空白詳細規范：具有光電晶體管輸出評估級別類別 I II 或 III 的環境或外殼額定光電耦合器
