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半導體と紫外線

半導體と紫外線は全部で 105 項標準に関連している。

半導體と紫外線 國際標準分類において、これらの分類：光學および光學測定、 オプトエレクトロニクス、レーザー裝置、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 分析化學、 セラミックス、 半導體ディスクリートデバイス、 半導體材料、 無機化學、 獣醫學、 総合電子部品。

Association Francaise de Normalisation, 半導體と紫外線

• NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導體光觸媒材料試験用UV光源
• NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導體光觸媒材料の検査用紫外線光源
• NF EN 62007-1/A1:2022 光ファイバーシステム用光電子半導體デバイス 第1部：基本値と特性に関する仕様モデル
• NF EN 62007-1:2015 光ファイバーシステム用光電子半導體デバイス 第1部：基本値と特性に関する仕様モデル
• NF EN 2714-008:2007 航空宇宙シリーズ - 電気ケーブル、単導體および多導體ユニバーサル - 動作溫度 -55oC ～ 260oC - パート 008: シールド (編組) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格
• NF EN 2266-007:2006 航空宇宙シリーズ - 一般電気ケーブル - 動作溫度 -55oC ～ 200oC - パート 007: UV レーザー マーキング ジャケット付き多導體 - 製品規格
• XP PR EN 2712-007:1996 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心ケーブルおよび多心ケーブル - 動作溫度 - 55 ℃ ～ 150 ℃ - パート 007: 外裝 (ラッピング) と被覆、UV レーザー マーキング...
• NF EN 2713-011:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心および多心ケーブル - 動作溫度 -55oC ～ 200oC - パート 011: 銀メッキ銅、シールド (ラップおよびジャケット)、UV レーザーマーキング可能 - 標準...
• NF EN 2713-007:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心および多心ケーブル - 動作溫度 -55oC ～ 200oC - パート 007: シールド (カバー) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格

國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會, 半導體と紫外線

• GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導體ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法
• GB/T 39771.1-2021 半導體発光ダイオードの光放射線安全性 第 1 部: 要件と分類方法

Professional Standard - Electron, 半導體と紫外線

• SJ/T 11818.2-2022 半導體 UV 発光ダイオード パート 2: チップ仕様
• SJ/T 11818.3-2022 半導體 UV 発光ダイオード パート 3: デバイス仕様
• SJ/T 11818.1-2022 半導體 UV 発光ダイオード パート 1: 試験方法
• SJ 2684-1986 半導體発光（可視光）デバイスの寸法
• SJ 2247-1982 半導體光電子デバイスの寸法
• SJ 2750-1987 半導體レーザーダイオードの寸法
• SJ 2658.1-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 一般原理
• SJ 20744-1999 半導體材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン
• SJ 2658.6-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの試験方法
• SJ 50033/110-1996 半導體光電子デバイス詳細仕様 GR9413型赤外発光ダイオード
• SJ 53930/1-2002 半導體光電子デバイス GR8813型赤外線発光ダイオードの詳細仕様
• SJ 2658.4-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 靜電容量の試験方法
• SJ 2658.12-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 発光ピーク波長およびスペクトル半値幅の試験方法
• SJ 2658.2-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 順電圧降下試験方法
• SJ 2658.3-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 逆電圧試験方法
• SJ 2658.7-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 放射束の試験方法
• SJ 2658.10-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 変調ブロードバンドの試験方法
• SJ 2658.13-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 出力光パワーの溫度係數の試験方法
• SJ/T 2658.16-2016 半導體赤外発光ダイオードの測定方法 第16回 光電変換効率
• SJ 50923/2-1995 形G2-01B-M1およびG2-01B-Z1半導體受光素子の金屬筐體の詳細仕様
• SJ 2658.8-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 正常放射輝度の試験方法
• SJ 2658.5-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法
• SJ 2658.11-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 インパルス応答特性の試験方法
• SJ 50923/1-1995 タイプ A6-02A-M2(Z2) および A6-01B-M1(Z1) 半導體オプトカプラの金屬ハウジングの詳細仕様
• SJ 2658.9-1986 半導體赤外発光ダイオードの試験方法 放射強度および半値角の空間分布の試験方法
• SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導體光電子材料と焦電材料の共通用語と用語
• SJ/T 10827-1996 電子部品用半導體集積回路 詳細仕様書 CJ0451タイプ HTLデュアルペリフェラルポジティブANDドライバ
• SJ/T 10826-1996 電子部品 半導體集積回路 CJ0450 タイプ HTL デュアルペリフェラルポジティブおよびドライバーの詳細仕様
• SJ/T 10828-1996 電子部品の詳細仕様 半導體集積回路 CJ0452 タイプ HTL デュアルペリフェラル ポジティブおよび非ドライバ
• SJ/T 2658.12-2015 半導體赤外発光ダイオードの測定方法 - 第 12 部: ピーク発光波長と分光放射帯域幅

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導體と紫外線

• KS D 2717-2008(2018) 紫外可視近赤外吸収分光法を用いた単層カーボンナノチューブすすの金屬／半導體比の評価
• KS C IEC 60748-2-9:2002 半導體デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 9: MOS 紫外線消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ ブランク詳細仕様
• KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) 半導體デバイス集積回路 第 2 部: デジタル集積回路 セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ ブランク詳細仕様
• KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) 半導體デバイス集積回路 第 2 部: デジタル集積回路 セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ ブランク詳細仕様

KR-KS, 半導體と紫外線

• KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）半導體光觸媒材料検査用紫外線光源

British Standards Institution (BSI), 半導體と紫外線

• BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）、半導體光觸媒材料試験用紫外光源
• BS IEC 60747-14-11:2021 半導體デバイス 半導體センサー 表面弾性波による紫外線、照度、溫度測定用集積センサーの試験方法
• 19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導體デバイス パート 14-11 半導體センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、溫度測定用の統合センサーの試験方法
• 18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導體デバイス パート 14-11 半導體センサー 表面弾性波に基づく紫外線、照明、溫度測定用の統合センサーの試験方法
• BS QC 790106:1995 電子部品品質評価調整システム仕様書 半導體デバイス集積回路 デジタル集積回路 ブランク詳細仕様書 MOS 紫外線消去可能 電気的プログラマブル 読み取り専用
• BS IEC 63068-3:2020 半導體デバイスのパワーデバイス用炭化ケイ素ホモエピタキシャルウェーハの欠陥を非破壊で特定するための標準的なフォトルミネッセンス欠陥検査方法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導體と紫外線

• GJB 33/15-2011 半導體光電子デバイス詳細仕様書 BT401型半導體赤外発光ダイオード
• GJB 8190-2015 航空機外裝照明用半導體固體光源の一般規格
• GJB 5018-2001 半導體光電子デバイスのスクリーニングと受け入れに関する一般要件

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導體と紫外線

• GB/T 29856-2013 半導體単層カーボンナノチューブの近赤外フォトルミネッセンス分光法の特性評価方法
• GB/T 17574.9-2006 半導體デバイス、集積回路、パート 2-9: デジタル集積回路、紫外線消去可能な電気的にプログラム可能な MOS 読み取り専用メモリの詳細仕様は空白。

International Organization for Standardization (ISO), 半導體と紫外線

• ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）、半導體光觸媒材料検出用紫外線源

Group Standards of the People's Republic of China, 半導體と紫外線

• T/NAIA 0193-2023 UV分光光度法による一本鎖抗體真核生物発現プラスミドDNAの濃度と純度の測定

Defense Logistics Agency, 半導體と紫外線

• DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイス相補型金屬酸化物半導體デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導體デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導體デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金屬酸化膜半導體 UV プログラマブルロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91772-1993 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體、UV消去可能なロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導體デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金屬酸化膜半導體デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金屬酸化物半導體UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金屬酸化物半導體UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 シリコンモノリシック 8KX8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導體デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91584-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ、相補型金屬酸化物半導體、デジタル メイン メモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 シリコンモノリシック UV ワイパブルプログラマブルロジックデバイス、相補型金屬酸化膜半導體、デジタルマスターメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金屬酸化膜半導體デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金屬酸化膜半導體デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89476-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金屬酸化膜半導體デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導體デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 シリコンモノリシック、32K
• DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 シリコンモノリシック、4K
• DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 シリコンモノリシック 144 ビット (32KX8) UV 消去可能プログラム 262 相補型金屬酸化膜半導體、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 シリコンモノリシック 64K
• DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 放射線耐性 相補型金屬酸化膜半導體 4重専用ANDゲート シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96816-1996 相補型金屬酸化膜半導體、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 64X 16 ビット UV 拡張プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルボディメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 シリコンモノリシック、128K
• DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K
• DLA SMD-5962-93122-1993 シリコンモノリシック、2K
• DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 相補型金屬酸化膜半導體、4連2入力専用ANDゲートトランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 耐放射線相補型金屬酸化物半導體四重極排他的ORゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 シリコンモノリシック2K
• DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 バイポーラ相補型金屬酸化膜半導體、4連2入力専用ANDゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 UV消去可能な同期プログラマブルロジックデバイス、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 シリコンモノリシック8K
• DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 512K
• DLA SMD-5962-92071-1994 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 64K
• DLA SMD-5962-92140-1992 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體128K
• DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體 256K
• DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 シリコンモノリシックパワードロップ 16K x 8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ相補型金屬酸化膜半導體デジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 シリコンモノリシック相補型金屬酸化物半導體登録 32K

RO-ASRO, 半導體と紫外線

• STAS 12258/6-1987 光電子半導體デバイス。 赤外発光ダイオードの用語と基本特性

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導體と紫外線

• IEC 60747-14-11:2021 半導體デバイス パート 14-11: UV、照度、溫度測定用の表面弾性波ベースの統合センサーの半導體センサー試験方法
• IEC 60748-2-9:1994 半導體デバイス集積回路 第 2 部: デジタル集積回路 第 9 部: MOS UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ ブランク詳細仕様

European Committee for Standardization (CEN), 半導體と紫外線

• CWA 17857:2022 光ファイバーを赤外線半導體レーザーに接続するためのレンズベースのアダプター システム

RU-GOST R, 半導體と紫外線

• GOST 29283-1992 半導體機器 ディスクリートデバイス機器および集積回路 パート 5 光電子機器

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 半導體と紫外線

• PQC 8 ISSUE 1-1996 半導體光電子デバイスの空白の詳細仕様: フォトトランジスタ出力を備えた環境またはエンクロージャ定格オプトカプラの評価レベル カテゴリ I II または III

その他：   半導體と光觸媒, 超純水と半導體, 半導體のUVスペクトルエッジ, イオンクロマトグラフィーと半導體, 半導體紫外分光分析, 光觸媒と半導體光觸媒, 半導體と光電流, 光觸媒と半導體, 半導體デバイスと溫度, UV分光計と赤外線分光計, 紫外半導體, 光電子材料と半導體照明, 紫外スペクトル半導體, 紫外分光法の原理と応用, 蛍光と紫外線, UV可視および紫外分光法, 新しい半導體材料とデバイス, UV分光法とイメージング, 半導體と紫外線, 半金屬および半導體材料.