晶體 方法
本專題涉及晶體 方法的標準有127條。
國際標準分類中，晶體 方法涉及到非金屬礦、半導體分立器件、整流器、轉換器、穩壓電源、糖、糖制品、淀粉、黑色金屬、輻射測量、化工產品、金屬生產、金屬材料試驗、半導體材料、電子元器件綜合、光學和光學測量、教育、有色金屬、絕緣流體、頻率控制和選擇用壓電器件與介質器件、電子顯示器件、太陽能工程、音頻、視頻和視聽工程、電學、磁學、電和磁的測量、涂料配料、集成電路、微電子學、鐘表學、光電子學、激光設備。
在中國標準分類中，晶體 方法涉及到人工晶體、半導體分立器件綜合、半導體三極管、電子技術專用材料、電力半導體器件、部件、石英晶體、壓電元件、、金屬化學分析方法綜合、金屬物理性能試驗方法、半金屬與半導體材料綜合、儀器、儀表用材料和元件、半導體光敏器件、教學專用儀器、金屬無損檢驗方法、半導體發光器件、教育、學位、學銜、其他、金屬化學性能試驗方法、電容器、音響、電聲設備、毯類、太陽能、稀有高熔點金屬及其合金、金相檢驗方法、商業、貿易、合同、電磁計量、時間計量儀器、元素半導體材料、計量綜合、染料基礎標準與通用方法、激光器件。
國家質檢總局，關于晶體 方法的標準
- GB/T 7896-2008 人造光學石英晶體試驗方法
- GB/T 43724-2024 單體液晶測試方法
- GB/T 17007-1997 絕緣柵雙極型晶體管測試方法
- GB 6430-1986 晶體盒型號命名方法
- GB/T 1555-1997 半導體單晶晶向測定方法
- GB/T 1555-2023 半導體單晶晶向測定方法
- GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法
- GB/T 16863-1997 晶體折射率的試驗方法
- GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢查方法
- GB/T 11297.12-2012 光學晶體消光比的測量方法
- GB/T 16864-1997 低溫下晶體透射率的試驗方法
- GB 6627-1986 人造石英晶體棒材型號命名方法
- GB 6627-1986 人造石英晶體棒材型號命名方法
- GB 6627-1986 人造石英晶體棒材型號命名方法
- GB/T 16822-1997 介電晶體介電性能的試驗方法
- GB 12275-1990 石英晶體振蕩器型號命名方法
- GB/T 2385-1992 染料中間體結晶點通用測定方法
- GB/T 15250-1994 壓電鈮酸鋰單晶體聲波衰減測試方法
- GB 12300-1990 功率晶體管安全工作區測試方法
- GB/T 2385-2007 染料中間體 結晶點的測定通用方法
YU-JUS，關于晶體 方法的標準
- JUS N.R1.450-1981 雙極晶體管．測量方法
- JUS N.R1.451-1982 場效應晶體管．測量方法的一般原則
- JUS N.R1.471-1985 雙極晶體管．參考測量方法
行業標準-電子，關于晶體 方法的標準
- SJ/T 10333-1993 單結晶體管測試方法
- SJ/T 10638-1995 石英晶體振蕩器測試方法
- SJ/T 2214-2015 半導體光電二極管和光電晶體管測試方法
- SJ/T 10015-2013 10kHz～200kHz音叉石英晶體元件的測試方法和標準值
- SJ/Z 9162-1987 手表用32KHz石英晶體元件的測量方法、試驗方法和標準值
- SJ 20718-1998 碲鎘汞晶體中痕量元素的測定方法
日本工業標準調查會，關于晶體 方法的標準
- JIS C 7030:1993 晶體管的測量方法
- JIS H 7805:2005 用X射線衍射儀測定金屬晶體中晶粒大小的方法
- JIS H 7804:2005 用電子顯微法測定金屬晶體的粒徑的方法
- JIS H 0609:1994 在優選的腐蝕工藝下硅晶體損害的試驗方法
- JIS H 0609:1999 用優選浸蝕技術檢測硅中晶體缺陷的試驗方法
韓國科技標準局，關于晶體 方法的標準
- KS C 6024-2002 晶體管的測量方法
- KS D 0258-2012(2022) 用優先蝕刻技術測試硅中晶體缺陷的方法
- KS D 0258-2022 通過優先蝕刻技術測試硅中晶體缺陷的方法
- KS C 8529-1995(2020) 溫度系數測量方法晶體太陽能電池和組件
- KS D 0264-2019 鍺晶體蝕坑密度的測量方法
- KS D 0209-1982(1997) 河鐵素體晶粒尺寸的測試方法
- KS D 0209-1982 河鐵素體晶粒尺寸的測試方法
- KS C 0256-2002(2017) 具有四點探針的硅晶體和硅晶片的電阻率測試方法
- KS D 0264-1989(2019) 鍺晶體的蝕刻坑密度的測量方法
PL-PKN，關于晶體 方法的標準
- PN T01504-04-1987 晶體管．測量方法損壞電壓
- PN T01208-03-1992 半導體裝置．雙極晶體管．測量方法
- PN T01504-09-1987 晶體管測量方法 ICER．ICES．ICEV和ICEO泄漏電阻電流
- PN T01505 ArkusZ11-1974 場效應晶體管．測量方法．漏源事故電壓
- PN T01504-21-1987 晶體管．測量方法．低頻率正向電流傳輸率
- PN T01504-24-1987 晶體管．測量方法．高頻向前電流轉換比率
- PN T01505 ArkusZ01-1974 場效應．晶體管．測量方法．閘源切斷．電壓值
- PN T01505 ArkusZ09-1974 場效應晶體管．測量方法．漏源擊穿電壓U（BR） DSS
- PN T01505 ArkusZ12-1974 場效應晶體管．測量方法．短路輸入電導公用源
- PN T01505 ArkusZ14-1974 場效應．晶體管測量方法，短路逆向轉移電導公用源
- PN T01505-17-1987 場效應晶體管測量方法．公同源C22SS中短路輸出電容
- PN T01504-05-1987 晶體管．測試方法集電器底和發射體底切斷電源ICB0和IEBO
- PN T01505 ArkusZ02-1974 場效應晶體管．測量方法．閘源臨界電壓．閘源臨界電壓
- PN T01505-16-1987 場效應晶體管．測量方法，公用源CnM中的短路輸入電容
- PN T01504-01-1987 晶體管測量方法．向前電流轉換率靜電值和底發射體電壓
- PN T01505 ArkusZ06-1974 場效應晶體管柵電流測量方法 Icdo
- PN T01504-02-1987 晶體管．測量方法．集電器發射體飽和電壓．基發射器飽和電壓
- PN T01505-19-1987 場效應晶體管．測量方法．噪聲系數F和等效輸入噪聲電壓U
- PN T01505-18-1987 場效應晶體管．測量方法．帶輸入短路Cl2j．s的公用源反向轉移電容
- PN T01504 ArkusZ07-1974 U（BR）CEO，U（BR）CER ，U（BR）CES．U（BR）CEX晶體管測量．脈沖方法
- PN T01505-04-1987 柵截止電流和柵泄漏電流慣性制導系統的場效應晶體管測量方法
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，關于晶體 方法的標準
- IEEE 218-1956 測試晶體管的標準方法
RU-GOST R，關于晶體 方法的標準
- GOST 27264-1987 動力用雙級型晶體管.測量方法
- GOST 12578-2016 方糖. 小塊(糖屑和晶體)的測定方法
- GOST 5639-1982 鋼及合金.晶體大小測定方法
- GOST 18604.8-1974 晶體管.輸出導納測量方法
- GOST 18604.10-1976 雙極型晶體管.輸入電阻測量方法
- GOST 18604.26-1985 雙極型晶體管.暫態參數測量方法
- GOST 20398.2-1974 場效應晶體管.噪聲系數測量方法
- GOST 20398.3-1974 場效應晶體管.特性曲線測量方法
- GOST R 56980-2016 晶體硅地面光伏模組. 試驗方法
- GOST 18604.7-1974 晶體管.電流傳輸系數測量方法
- GOST 20398.6-1974 場效應晶體管.閘門漏電流測量方法
- GOST 20398.11-1980 場效應晶體管.噪聲電動勢測量方法
CU-NC，關于晶體 方法的標準
- NC 66-29-1984 電子線路．雙極性晶體管測量方法
- NC 90-13-07-1984 計量保證體系．光電結晶．驗證方法和手段
SCC，關于晶體 方法的標準
- BS PD IEC TS 62607-6-16:2022 納米制造 關鍵控制特性 二維材料 載流子濃度：場效應晶體管方法
- BS 4490:1969 鋼的奧氏體晶粒尺寸的測定方法
- BS PD IEC TS 62804-1-1:2020 光伏 (PV) 模塊 檢測電勢誘導降解的測試方法 晶體硅 分層
中國團體標準，關于晶體 方法的標準
- T/CAB 0180-2022 GAGG晶體及晶片陣列性能測量方法
美國電氣電子工程師學會，關于晶體 方法的標準
- IEEE Std 218-1956(R1980)*56 IRE 28.S2 IEEE 晶體管測試標準方法
- IEEE Std 1620-2004 有機晶體管和材料特性測試方法標準
行業標準-機械，關于晶體 方法的標準
- JB/T 9395.3-1999 光學晶體透過率 測量方法
- JB/T 9495.3-1999 光學晶體透過率 測量方法
- JB/T 9495.2-1999 光學晶體折射率 測量方法
- JB/T 9495.7-1999 光學晶體學均勻性 測量方法
- JB/T 9395.5-1999 光學晶體散射顆粒度 測量方法
- JB/T 9495.5-1999 光學晶體散射顆粒度 測量方法
- JB/T 9495.4-1999 光學晶體應力雙折射 測量方法
- JB/T 9495.6-1999 光學晶體光吸收系數 測量方法
CZ-CSN，關于晶體 方法的標準
- CSN 35 8757 Cast.9-1986 晶體管．熱阻測量的方法
- CSN 35 8757 Cast.3-1984 晶體管．噪聲指數的測量方法
- CSN 35 8740-1985 晶體管．飽和電壓的測量方法
- CSN 35 8757 Cast.11-1986 晶體管．開關時間的測量方法
- CSN 35 8803-1983 場效應晶體管．電氣參數．測量方法
- CSN 35 8759-1977 半導體設備．晶體管．開關時間的測量方法
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于晶體 方法的標準
- GB/T 39865-2021 單軸晶光學晶體折射率測量方法
- GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法
行業標準-教育，關于晶體 方法的標準
- JY/T 0587-2020 多晶體X射線衍射方法通則
- JY/T 009-1996 轉靶多晶體X射線衍身方法通則
行業標準-商品檢驗，關于晶體 方法的標準
- SN/T 1175-2003 進出口薄膜晶體管彩色液晶顯示器檢驗方法
- SN/T 0735.2-1997 出口芳香油、單離和合成香料熔點的測定方法.晶體類
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會，關于晶體 方法的標準
- GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
- GB/T 35118-2017 摻鉺釔鋁石榴石激光晶體光學性能測量方法
行業標準-鐵道，關于晶體 方法的標準
- TB/T 2699-1996 熒光燈用晶體管逆變器試驗方法
GOST，關于晶體 方法的標準
- GOST 25734-1983 氧化鋁 非冶金氧化鋁中單晶尺寸的晶體光學測定方法
美國電子元器件、組件及材料協會，關于晶體 方法的標準
- ECA TEP105-12-1987 晶體管表面反射率測試方法
行業標準-廣播電影電視，關于晶體 方法的標準
- GY/T 66-1989 有線廣播用晶體管擴音機測量方法
HU-MSZT，關于晶體 方法的標準
- MSZ 8626-1966 鋼材 奧氏體晶粒邊界的檢測方法
英國標準學會，關于晶體 方法的標準
- BS PD IEC/TS 62804-1:2015 光伏 (PV) 模塊. 檢測電位誘導衰減的試驗方法. 晶體硅
行業標準-有色金屬，關于晶體 方法的標準
- YS/T 557-2006 壓電鈮酸鋰單晶體聲波衰減測試方法
RO-ASRO，關于晶體 方法的標準
- STAS 6693/2-1975 半導體設備．晶體管．電子性能測試方法
美國材料與試驗協會，關于晶體 方法的標準
- ASTM E82-91(1996) 測定金屬晶體取向的標準試驗方法
- ASTM E82-91(2007) 測定金屬晶體取向的標準試驗方法
- ASTM E82/E82M-14(2019) 測定金屬晶體取向的標準試驗方法
- ASTM E82/E82M-14 測定金屬晶體取向的標準試驗方法
- ASTM E82-09 測定金屬晶體取向的標準試驗方法
國家軍用標準-總裝備部，關于晶體 方法的標準
- GJB 9150-2017 微波功率晶體管微波參數測試方法
GOSTR，關于晶體 方法的標準
- GOST 18604.19-1988 雙極晶體管 閾值電壓的測量方法
國家計量技術規范，關于晶體 方法的標準
- JJF(電子) 20-1982 CR1A型晶體管數字歐姆表檢定方法
- JJF(電子) 21-1982 JT-l型晶體管特性圖示儀檢定方法
工業和信息化部，關于晶體 方法的標準
- SJ/T 11765-2020 晶體管低頻噪聲參數測試方法
IN-BIS，關于晶體 方法的標準
- IS 4400 Pt.4-1981 半導體器件測量方法第 IV 部分晶體管
國際電工委員會，關于晶體 方法的標準
- IEC 60689:1980 手表用32kHz石英晶體元件的測量方法、試驗方法和標準值
