本期為系列精華篇的第三輯,對鈍化產品抑制金屬離子污染以及在煙囪和火炬監測環境下避免材料腐蝕作了細致分析。SilcoTek?涂層提供了一個高純度的硅屏障,防止滲出污染,以達到抑制腐蝕的目的。惰性硅涂層涂覆在金屬上可防止工藝流體接觸金屬表面,是抑制腐蝕提高工藝純度的關鍵步驟。...
我們也從酸性對比試驗數據得出,Dursan?涂層的引入大大降低了腐蝕速率,耐腐蝕性提高了有幾個數量級;Silcolloy?是一種多層非晶硅沉積物,有了晶硅鈍化涂層后,在防止酸腐蝕方面非常有效,它減少金屬過濾基體和流經過濾器的腐蝕性介質之間的相互作用,從而大大提高了產品質量,同時降低了更換過濾器的頻次,也降低了生產成本。...
硅材料的制造工藝與集成電路工藝有很好的兼容性,便于微型化、集成化及批量生產。硅可以用許多材料覆蓋,如氮化硅,因而能獲得優異的防腐介質的保護。具有較好的耐磨性。 綜上所述,硅材料的優點可歸為:優異的機械特性;便于批量微機械結構和微機電元件;與微電子集成電路工藝兼容;微機械和微電子線路便于集成。 正是這些優點,使硅材料成為制造微機電和微機械結構主要的優選材料。...
針對上述納米線晶體管架構在集成電路發展應用中所面臨的難題,微電子所研究員殷華湘帶領的團隊提出在主流硅基FinFET集成工藝基礎上,通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合,最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后,采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。...
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