薄膜殘余應力
本專題涉及薄膜殘余應力的標準有12條。
國際標準分類中，薄膜殘余應力涉及到攝影技術、半導體分立器件、電子電信設備用機電元件。
在中國標準分類中，薄膜殘余應力涉及到物質成份分析儀器與環境監測儀器綜合。
美國材料與試驗協會，關于薄膜殘余應力的標準
- ASTM E2245-02 用光學干涉儀測量反射薄膜殘余應力的標準試驗方法
- ASTM E2245-05 用光學干涉儀測量反射薄膜殘余應力的標準試驗方法
法國標準化協會，關于薄膜殘余應力的標準
- NF EN 62047-16:2015 半導體器件.微機電器件.第16部分：測定MEMS薄膜殘余應力的測試方法.晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
- NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶片曲率和懸臂梁偏轉方法
SCC，關于薄膜殘余應力的標準
- CEI EN 62047-16:2016 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定MEMS薄膜殘余應力的試驗方法 晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
- DANSK DS/EN 62047-16:2015 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
德國標準化學會，關于薄膜殘余應力的標準
- DIN EN 62047-16:2015-12 半導體器件-微機電器件-第16部分：確定MEMS薄膜殘余應力的測試方法-晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
國際電工委員會，關于薄膜殘余應力的標準
- IEC 62047-16:2015 半導體設備 微機電設備 第16部分：確定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶片曲率和懸臂梁偏轉方法
ES-UNE，關于薄膜殘余應力的標準
- UNE-EN 62047-16:2015 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
歐洲電工標準化委員會，關于薄膜殘余應力的標準
- EN 62047-16:2015 半導體器件-微機電器件-第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的試驗方法 晶片曲率和懸臂梁偏轉方法
GSO，關于薄膜殘余應力的標準
- GSO IEC 62047-16:2021 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
- BH GSO IEC 62047-16:2022 半導體器件 微機電器件 第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法 晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法
