EN 62047-16:2015
半導體器件-微機電器件-第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的試驗方法晶片曲率和懸臂梁偏轉方法

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films – Wafer curvature and cantilever beam deflection methods

標準號: EN 62047-16:2015
發布: 2015年
發布單位: 歐洲電工標準化委員會
當前最新: EN 62047-16:2015

適用范圍: IEC 62047-16:2015規定了測量厚度在0.01μm范圍內的薄膜殘余應力的測試方法。至10μ；在通過晶圓曲率或懸臂梁偏轉方法制造的 MEMS 結構中。

EN 62047-16:2015相似標準

GB/T 2900.104-2021 電工術語微機電裝置 NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 半導體器件微機電器件第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法晶片曲率和懸臂梁偏轉方法 CEI EN 62047-16:2016 半導體器件微機電器件第16部分：測定MEMS薄膜殘余應力的試驗方法晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法 NF EN 62047-16:2015 半導體器件.微機電器件.第16部分：測定MEMS薄膜殘余應力的測試方法.晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法 UNE-EN 62047-16:2015 半導體器件微機電器件第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的測試方法晶圓曲率和懸臂梁偏轉方法

硅基MEMS制造技術檢測方法國際提案介紹

(3) 微機械在各學科領域的應用研究由于MEMS產品結構的特殊性，對其生產過程中的材料、關鍵工藝的控制一直是國際上關注的熱點，作為國際上最為活躍的MEMS標準化組織IEC/TC47/SC47F（MEMS分技術委員會）近年來制定一系列標準，如IEC 62047-17《半導體器件微電子微機械器件第17部分：薄膜材料的膨脹機械性能測量方法》、IEC 62047-18《半導體器件微電子微機械器件第18...

干貨 | 半導體工藝研究中的SEM應用實例

照片22、MEMS器件及表面缺陷（微型機電系統）MEMS是在半導體技術基礎上發展起來的一門新型科學技術，涉及各學科的交叉及多種工藝的應用。MEMS電路大多數都是由復合薄膜構成，通過薄膜腐蝕及犧牲層釋放實現。因為在工藝過程中產生殘余應力，造成結構形狀、尺寸發生變化，過大的殘余應力致使MEMS器件發生翹曲破壞，研究MEMS器件殘余應力是相當重要的問題。...

顯微鏡下確定MEMS傳感器的粘滯作用

粘滯作用像懸臂梁、薄膜、梭形閥這些機械結構可能由于結構的釋放會和底層基板粘連，導致器件永久性失效。如果MEMS傳感器結構和襯底之間的距離非常小，那么通過顯微鏡觀察曲率是不可見的。如果您想要好芯片，恐怕只有在封測環節來挑選了。常見的檢查方法/設備:探針臺電性測試（如電容傳感器）基于探針的微機械測試...

顯微拉曼光譜儀在測量晶圓（多晶硅薄膜）殘余應力上的應用

而多晶硅薄膜的殘余應力對其斷裂強度、疲勞強度等力學性能有顯著的影響。表面及亞表面損傷還會引起殘余應力，殘余應力的存在將影響晶圓的強度，引起晶圓的翹曲如圖1所示。所以準確測量和表征多晶硅薄膜的殘余應力對于生產成熟的MEMS器件具有重要的意義。...

EN 62047-16:2015半導體器件-微機電器件-第16部分：測定 MEMS 薄膜殘余應力的試驗方法 晶片曲率和懸臂梁偏轉方法