采用四探針法測量相同導電類型、低阻襯底的外延層材料的電阻率時,由于流經材料的 電流會在低阻襯底中短路,因此得到的是襯底與外延層電阻率并聯的綜合結果。這時, 需要采用三探針法、擴展電阻法等。????三探針法是利用金屬探針與半導體材料接觸處的反向電流-電壓特性、測定擊穿時的電壓 來獲得材料電阻率的知識的。???...
KLA-Tencor Candela CS920是一個晶圓表面缺陷檢查系統,可以在一個單一檢測平臺上實現表面探測和光致發光(PL)技術,用于檢測微蝕坑、蘿卜狀蝕坑、彗星狀蝕線、三角形蝕坑和層錯等表面缺陷。透過參數不同的通道之間的交叉相關(鐳射波長、表面角度、散射光幅度),實現巨集微缺陷檢測和自動分類。 汞探針電容電壓(Hg-CV)測量法用于評估摻雜濃度(從原級平臺到頂部直徑是17點)。...
研究人員利用四探針法獲得了石墨烯晶界電阻率。首先,他們利用柵極與探針之間的電容作為進針反饋信號,將四個STM探針作為點接觸電極,無損地測量雙晶石墨烯兩側晶疇以及跨晶界的二維電阻。為了提取石墨烯晶界的電阻率,他們建立了晶界擴展模型,即將石墨烯晶界等同于具有一定寬度λ的單晶疇區,得到了雙晶石墨烯兩側晶疇內部與跨晶界(GB-1)的二維電阻隨載流子濃度變化曲線。...
高溫四探針測試儀可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其他導電薄膜的方塊電阻。 ...
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