GB/T 14863-1993
用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法
Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GBT14863-1993, GB14863-1993
2014-08
- 標準號
- GB/T 14863-1993
- 別名
- GBT14863-1993, GB14863-1993
- 發布
- 1993年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 替代標準
- GB/T 14863-2013
- 當前最新
- GB/T 14863-2013
- 適用范圍
- 本標準規定了用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流了濃度的原理、儀器與材料、樣品制備、測量步驟和數據處理。 本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值（見附錄B）的相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層，也適用于體材料。
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