GB/T 14146-2021
硅外延層載流子濃度的測試 電容-電壓法
Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
GBT14146-2021, GB14146-2021
- 標準號
- GB/T 14146-2021
- 別名
- GBT14146-2021, GB14146-2021
- 發布
- 2021年
- 發布單位
- 國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會
- 當前最新
- GB/T 14146-2021
- 引用標準
- GB/T 14264 GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 6624
- 被代替標準
- GB/T 14146-2009
- 適用范圍
- 本文件規定了電容-電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法,包括汞探針電容-電壓法和無接觸電容-電壓法。 本文件適用于同質硅外延層載流子濃度的測試,測試范圍為4×1013 cm-3 ~8×1016 cm-3 ,其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行,其中無接觸電容-電壓法不適用于同質碳化硅外延片載流子濃度的測試。