導致缺陷產生的主要原因是晶體在生長過程中溫度分布不均,晶體內不同程度的熱應力會引起微管密度和多晶界的增加。因此晶體生長過程中的溫度調控對提升晶體質量而言是關鍵所在。為解決大尺寸碳化硅單晶生長中的溫度分布不均勻問題,我們提出了3段式電阻加熱法。?...
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