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  • GB/T 32282-2015
    氮化鎵單晶位錯密度的測量 陰極熒光顯微鏡法

    Measurement of Dislocation Density in Gallium Nitride Single Crystal by Cathodoluminescence Microscopy

    GBT32282-2015, GB32282-2015


    GB/T 32282-2015 中,可能用到以下儀器設備

     

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    奧林巴斯(中國)有限公司

     

    聚焦離子束系統

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    卡爾蔡司(上海)管理有限公司

     

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    卡爾蔡司(上海)管理有限公司

     

    GB/T 32282-2015

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    標準號
    GB/T 32282-2015
    別名
    GBT32282-2015
    GB32282-2015
    發布
    2016年
    總頁數
    8頁
    發布單位
    國家質檢總局
    當前最新
    GB/T 32282-2015
     
     
    引用標準
    GB/T 14264 GB/T 1554 GB/T 27788
     
     
    本體
    位錯密度

    本標準規定了用陰極熒光顯微鏡法測試氮化勻單晶位錯密度的方法。

    術語 
    陰極熒光 cathodoluminescence
    輻射復合 radiative recombination
    非輻射復合 nonradiative recombination

    GB/T 32282-2015 中提到的儀器設備

    掃描電子顯微鏡和陰極熒光顯微鏡
    配置電子槍,加速電壓2 kV至20 kV,推薦使用5 kV
    用于觀察材料表面結構及檢測位錯的設備

    專題


    GB/T 32282-2015相似標準





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