此時晶片的位錯密度在2×10 6cm-2至5×10 6cm-2的范圍內。通過金屬 - 有機氣相外延法使二極管層生長 ,形成5.8μmn-GaN肖特基勢壘二極管、2μmn+型GaN、10μmn-型GaN,500nm p-型GaN和20nm p + 型GaN p-n二極管。 將p-n二極管材料在850℃,氮氣氛圍中退火30分鐘以活化p型層中的鎂受體。 退火的效果是驅除鈍化受體的氫原子。...
導致缺陷產生的主要原因是晶體在生長過程中溫度分布不均,晶體內不同程度的熱應力會引起微管密度和多晶界的增加。因此晶體生長過程中的溫度調控對提升晶體質量而言是關鍵所在。為解決大尺寸碳化硅單晶生長中的溫度分布不均勻問題,我們提出了3段式電阻加熱法。?...
導致缺陷產生的主要原因是晶體在生長過程中溫度分布不均,晶體內不同程度的熱應力會引起微管密度和多晶界的增加。因此晶體生長過程中的溫度調控對提升晶體質量而言是關鍵所在。為解決大尺寸碳化硅單晶生長中的溫度分布不均勻問題,我們提出了3段式電阻加熱法。?...
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