IEC 60749 的這一部分描述了一種測試方法,用于確定半導體器件對由于內部半導體芯片和內部連接器的功率耗散循環而產生的熱應力和機械應力的抵抗力。當周期性施加和消除正向導通的低壓工作偏置(負載電流)時,會發生這種情況,導致溫度快速變化。功率循環測試旨在模擬電力電子器件中的典型應用,并且是對高溫工作壽命的補充(參見 IEC 60749-23)。暴露于該測試可...
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