ASTM F576-00 用橢圓對稱法測量硅襯底上絕緣體厚度及折射指數的標準試驗方法發布歷史

ASTM F576-00由美國材料與試驗協會 US-ASTM 發布于 2000。

ASTM F576-00 在中國標準分類中歸屬于: H80 半金屬與半導體材料綜合。

ASTM F576-00 用橢圓對稱法測量硅襯底上絕緣體厚度及折射指數的標準試驗方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 ASTM F576-01 。

1.1 本測試方法涵蓋通過橢圓光度法測量在硅基板上生長或沉積的絕緣體的厚度和折射率。

1.2 本測試方法使用單色光。

1.3 本測試方法是非破壞性的，可用于測量厚度和折射率。任何基材上不吸收測量波長下的光的任何薄膜的折射率 (1) 對測量波長下的光不透明，以及 (2) 在測量波長下折射率和吸收系數均已知的材料。

1.4 該測試方法的精度會因小于光束光斑尺寸的區域、基板平整度、絕緣體厚度和折射率的變化而降低。

1.5 通過橢圓光度法確定的薄膜厚度測量并不是唯一的。當膜厚大于N/[2(n 2 sin 20)1/2]計算值時，其中N為整數，測量波長，n為折射率，0為入射角，由該表達式確定的厚度值必須與由橢圓光度法確定的厚度值相加才能獲得正確的薄膜厚度。 N 的值必須通過另一個過程獲得。

1.6 提供了兩種計算結果的程序。如果使用圖形程序，測量波長應為 546.1 或 632.8 nm，入射角應為 70 177 0.1o.1.7 本測試方法可用于計算機計算的裁判測量。

1.8 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。具體危險說明見第 9 節。

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ASTM F576-00
用橢圓對稱法測量硅襯底上絕緣體厚度及折射指數的標準試驗方法