ASTM F95-89(2000)
ASTM F95-89(2000)
- 標準號
- ASTM F95-89(2000)
- 發布
- 1970年
- 發布單位
- /
- 當前最新
- ASTM F95-89(2000)
- 引用標準
- ASTM E177 ASTM E932 ASTM F84
- 適用范圍
- 1.1 本測試方法2提供了一種測量沉積在硅襯底上的硅外延層厚度的技術。使用色散紅外分光光度計。對于此測量，基材的電阻率在 23°C 時必須小于 0.02 V·cm，并且層的電阻率在 23°C 時必須大于 0.1 V·cm。
1.2 該技術能夠測量厚度大于 2 μm 的 n 型層和 p 型層的厚度。由于精度降低，該技術也可應用于 0.5 至 2 μm 厚的 nand p 型層。
1.3 本測試方法適用于裁判測量。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。