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JIS H 0615:1996
用光致發光光譜法測定硅晶體中雜質濃度的試驗方法

Test method for determination of impurity concentrations in silicon crystal by photoluminescence spectroscopy

被代替

標準號: JIS H 0615:1996
發布: 1996年
發布單位: 日本工業標準調查會
替代標準: JIS H 0615 ERRATUM 1:2006
當前最新: JIS H 0615:2021

適用范圍: 本標準規定了光致發光法測定單晶和多晶硅雜質濃度的方法。可測定的雜質元素為硼(B)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)，可測定濃度范圍為1×1011～5×015atoms/cm3(0.002～100ppba)。

專題

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