JIS H 0615:1996
用光致發光光譜法測定硅晶體中雜質濃度的試驗方法

Test method for determination of impurity concentrations in silicon crystal by photoluminescence spectroscopy

被代替

JIS H 0615:1996 發布歷史

JIS H 0615:1996由日本工業標準調查會 JP-JISC 發布于 1996-01-01。

JIS H 0615:1996 在中國標準分類中歸屬于: H81 半金屬，在國際標準分類中歸屬于: 73.080 非金屬礦。

JIS H 0615:1996 用光致發光光譜法測定硅晶體中雜質濃度的試驗方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 JIS H 0615:2021 。

JIS H 0615:1996的歷代版本如下：

• 2021年 JIS H 0615:2021 光致發光光譜法測定硅晶體中雜質濃度的試驗方法
• 2006年 JIS H 0615 ERRATUM 1:2006 勘誤
• 1996年 JIS H 0615:1996 用光致發光光譜法測定硅晶體中雜質濃度的試驗方法

本標準規定了光致發光法測定單晶和多晶硅雜質濃度的方法。可測定的雜質元素為硼(B)、鋁(Al)、磷(P)、砷(As)，可測定濃度范圍為1×1011～5×015atoms/cm3(0.002～100ppba)。

標準號

JIS H 0615:1996

發布

1996年

發布單位

日本工業標準調查會

替代標準

JIS H 0615 ERRATUM 1:2006

當前最新

JIS H 0615:2021

 

 

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