二、區熔法原理把摻雜好的多晶硅棒鑄在一個模型里,一個籽晶固定到一端然后放進生長爐中,用射頻線圈加熱籽晶與硅棒的接觸區域,局部熔化多晶硅棒。當多晶硅棒底端出現熔滴時,將晶種插入熔區頂部快速拉出一個晶頸,然后放慢拉速,降低溫度放肩至較大直徑。高頻感應線圈配合單晶生長速度緩慢向上移動通過整根多晶硅棒,最終生長為一根單晶硅棒。...
添加材料可以是粉末狀的、燒結棒或局部熔化的粉末棒。熔化從添加材料的一端開始,移動加熱線圈或添加材料,使熔煉區移動,最后達到重結晶的目的。圖10-1-4 給出的是區熔法的一種浮區熔煉法的示意圖。在這種技術中,一根燒結棒被二個卡盤垂直的夾在一個保溫管中,然后卡盤旋轉并下降,穿過一個高頻線圈。熔融區僅由表面張力支撐。區熔法可以生產合成剛玉和變石。它很少顯示內含物等成因證據。...
用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程2023/8/62024/3/1首次制定珠寶玉石18GB/T 42433-2023珠寶玉石鑒定?紅外光譜法2023/5/232023/12/1首次制定19GB/T 42645-2023珠寶玉石鑒定 紫外-可見吸收光譜法2023/5/232023/12/1首次制定照明電器20GB/T 20150-2023紅斑基準作用光譜及標準紅斑劑量2023/8/62024/...
將多晶硅原料放在爐體的石英坩堝內進行高溫熔化(1450℃以上),在低真空度和氬氣保護下,通過紫晶插入多晶硅熔體后,在紫晶周圍形成過冷態并進行有規律生長,形成一根單晶棒體。單晶生產基本流程是:將多晶硅原料放入單晶爐,加熱融化,逐步分別進行縮頸生長、放肩生長、等徑生長和尾部生長,然后開爐取料,進行晶體測試,最后進行包裝、入庫,再發貨。...
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