JIS H 0602:1995
用四點探針法對硅晶體和硅片電阻率的測試方法
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
- 標準號
- JIS H 0602:1995
- 發布
- 1995年
- 發布單位
- 日本工業標準調查會
- 當前最新
- JIS H 0602:1995
- この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。
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