JIS H0602-1995
用四點探針法對硅晶體和硅片電阻率的測試方法

Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe

JIS H0602-1995 發布歷史

この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。

JIS H0602-1995由日本工業標準調查會 JP-JISC 發布于 1995-11-01。

JIS H0602-1995 在中國標準分類中歸屬于: H82 元素半導體材料，在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料,77.120.99 其他有色金屬及其合金。

JIS H0602-1995的歷代版本如下：

• 1995年11月01日 JIS H0602-1995 用四點探針法對硅晶體和硅片電阻率的測試方法

標準號

JIS H0602-1995

發布日期

1995年11月01日

實施日期

廢止日期

無

中國標準分類號

H82

國際標準分類號

29.045;77.120.99

發布單位

JP-JISC

適用范圍

この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。