JIS H0602-1995
用四點探針法對硅晶體和硅片電阻率的測試方法
Testing method of resistivity for silicon crystals and silicon wafers with four-point probe
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- 標準號
- JIS H0602-1995
- 發布日期
- 1995年11月01日
- 實施日期
- 廢止日期
- 無
- 中國標準分類號
- H82
- 國際標準分類號
- 29.045;77.120.99
- 發布單位
- JP-JISC
- 適用范圍
- この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。