金屬氧化物的贗電容特性

本專題涉及金屬氧化物的贗電容特性的標準有155條。

國際標準分類中，金屬氧化物的贗電容特性涉及到電工器件、電阻器、閥門、物理學、化學、集成電路、微電子學、半導體分立器件、電學、磁學、電和磁的測量、輸電網和配電網、有色金屬、無線通信。

在中國標準分類中，金屬氧化物的贗電容特性涉及到電容器、通信網技術體制、電工絕緣材料及其制品、通信設備綜合、、閥門、半導體集成電路、基礎標準與通用方法、工業自動化儀表與控制裝置、半導體分立器件綜合、計算機應用、半導體三極管、電子測量與儀器綜合、微電路綜合、低壓電器綜合、稀有金屬及其合金分析方法、通信網綜合、廣播、電視發送與接收設備。

美國材料與試驗協會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

ASTM F1153-92(1997) 用電容-電壓測量法對硅金屬氧化物結構特性的試驗方法
ASTM F996-11 利用次臨界伏安特性測定由于氧化空穴和界面性能產生的電離輻射感生金屬氧化物半導體場應晶體管臨界電壓偏移分量的標準試驗方法
ASTM F996-98 利用亞閾值安伏特性測定由于氧化空穴和界面態產生的電離輻射感應金屬氧化物半導體場效應晶體管閾電壓偏移分量的標準試驗方法
ASTM F996-98(2003) 利用亞閾值安伏特性測定由于氧化空穴和界面態產生的電離輻射感應金屬氧化物半導體場效應晶體管閾電壓偏移分量的標準試驗方法
ASTM F996-10 利用亞閾值安伏特性分離由于氧化空穴和界面態產生的電離輻射感應金屬氧化物半導體場效應晶體管閾電壓偏移的標準試驗方法

SCC，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

ITU-T K.77-2019 用于保護電信設備的金屬氧化物壓敏電阻的特性
BS PD IEC TS 62607-8-3:2023 納米制造關鍵控制特性納米金屬氧化物界面器件模擬電阻變化和電阻波動：電阻測量
BS PD ISO/TS 18827:2017 納米技術電子自旋共振 (ESR) 作為測量金屬氧化物納米材料產生的活性氧 (ROS) 的方法
BS PD IEC TS 62607-8-1:2020 納米制造關鍵控制特性納米金屬氧化物界面器件熱刺激電流缺陷狀態測試方法
DANSK DS/EN IEC 61643-331:2020 低壓浪涌保護元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 的性能要求和測試方法
CEI EN IEC 61643-331:2020 低壓浪涌保護元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻（MOV）的性能要求和測試方法
09/30192974 DC BS EN 60811-403 電纜和光纜非金屬材料試驗方法第403部分環境試驗彈性化合物的耐臭氧性試驗
DIN EN 61643-331 E:2018 低壓浪涌保護裝置的組件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 的性能要求和測試方法 (IEC 37B/160/FDIS:2017) 草案

國際電信聯盟，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

ITU-T K.77-2009 用于電信裝置保護的金屬氧化物電阻片的特性.5號研究組
ITU-T K.77 CORR 1-2011 通信設備保護用金屬氧化物壓敏電阻的特性.勘誤表1.5號研究組
ITU-T K.77 AMD 1-2013 對電信設施保護的金屬氧化物壓敏電阻特性修改件1:新的附錄3.采用交流步進應力試驗的數據傳送指令(MOV)保護研究組5

NEMA - National Electrical Manufacturers Association，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

NEMA C78.387-1987 電燈金屬鹵化物燈測量特性的方法

韓國科技標準局，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

KS C 4808-2011(2016) 聚合物 - 容納金屬氧化物避雷器而不對配電線路上的間隙
KS C ISO TS 18827:2021 納米技術 - 電子自旋共振（ESR）作為測量由金屬氧化物納米材料產生的活性氧（ROS）的方法

(美國)軍事條例和規范，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 無閘特殊用途的互補金屬氧化物半導體數字微電路
ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 無閘特殊用途的互補金屬氧化物半導體數字微電路
ARMY MIL-M-63324 A-1981 無閘特殊用途的互補金屬氧化物半導體數字微電路
ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 無閘特殊用途的互補金屬氧化物半導體數字微電路
ARMY MIL-I-48331 A NOTICE 2-1997 互補金屬氧化物半導體制數字集成電路.具時基和特殊用途功能的鐵制硅整流發電機
ARMY MIL-I-48331 A VALID NOTICE 1-1988 互補金屬氧化物半導體制數字集成電路.具時基和特殊用途功能的鐵制硅整流發電機
ARMY MIL-I-48331 A (2)-1982 互補金屬氧化物半導體制數字集成電路.具時基和特殊用途功能的鐵制硅整流發電機
ARMY MIL-I-48331 A-1979 互補金屬氧化物半導體制數字集成電路.具時基和特殊用途功能的鐵制硅整流發電機

中國團體標準，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

T/CECA 27-2017 有可靠性指標的金屬氧化物壓敏電阻器總規范

英國標準學會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

BS PD IEC TS 62607-8-2:2021 納米制造關鍵控制特性納米金屬氧化物界面器件用熱激去極化電流測定極化特性的試驗方法
PD IEC TS 62607-8-3:2023 納米制造主要控制特性納米金屬氧化物界面器件模擬電阻變化和電阻波動：電阻測量
PD IEC/TS 62607-8-3:2023 納米制造主要控制特性納米金屬氧化物界面器件模擬電阻變化和電阻波動：電阻測量
PD ISO/TS 18827:2017 納米技術電子自旋共振(ESR)作為測量金屬氧化物納米材料產生的活性氧(ROS)的方法
PD IEC TS 62607-8-1:2020 納米制造關鍵控制特性納米金屬氧化物界面器件熱刺激電流缺陷狀態測試方法
BS EN IEC 61643-331:2020 低壓浪涌保護元件金屬氧化物壓敏電阻（MOV）的性能要求和測試方法
BS EN IEC 61643-331:2018 低壓浪涌保護裝置用元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻（MOV）的性能要求和試驗方法
18/30383392 DC BS EN 61643-331 Ed.3.0 低壓浪涌保護裝置的元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻（MOV）的性能要求和測試方法

美國國防后勤局，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅單塊高性能雙開關電容過濾器,互補金屬氧化物半導體,直線式微型電路
DLA SMD-5962-85133-1986 硅單塊 80比特擴展數字處理器,高性能金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅單塊互補高性能金屬氧化物半導體結構,32比特微處理器數字微型電路
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸入10比特總線或金屬氧化半導體主儲存器驅動器,雙極互補金屬氧化物半導體數字微型電路
DLA SMD-5962-97528-1997 互補金屬氧化物半導體,四重2輸入陽性與門晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-97571-1997 互補金屬氧化物半導體,四重2輸入陽性與門晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 低電壓互補金屬氧化物半導體,四重2輸入陽性與門晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 低電壓互補金屬氧化物半導體,四重2輸入陽性與門晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 硅單片A/D轉換跑道/保留8位兼容微處理器互補型金屬氧化物半導體線性微電路
DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 硅單片雙12位數位類比轉換器微處理器兼容互補型金屬氧化物半導體線性微電路
DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 雙極的互補金屬氧化物半導體,3.3伏特八角母線接收器和寄存器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 硅單塊記名的32K X 8比特程序,互補金屬氧化物半導體,主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 硅單塊 8比特允許的量值比較器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-96543 REV E-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,四重2輸入與非施密特觸發器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 互補金屬氧化物半導體數字的三重三輸入與非晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 互補金屬氧化物半導體數字的雙重4輸入與非晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 雙信道光耦合器金屬氧化物半導體場效應晶體管電源的線性混合微型電路
DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 硅單塊 9比特奇偶宇稱性發生器或效驗器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,八進制施米特觸發器高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-96780 REV B-2003 互補金屬氧化物半導體,3.3伏特16-BIT母線接收器和同等22歐姆輸出,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 雙極互補金屬氧化物半導體3.3伏特16-BIT三狀態輸出寄存轉換器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體四重2輸入與非施密特觸發器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體三重3輸入晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-94754 REV E-2004 數字的一次性可編程邏輯陳列互補金屬氧化物半導體硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅單塊帶三態輸出的10比特D緩沖器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的16比特總線驅動器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的16比特總線驅動器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的16比特總線接收器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 互補金屬氧化物半導體,雙重陽性觸發D類雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,計數器發生器晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶倒轉三態輸出的八進制緩沖器和行驅動線或金屬氧化半導體驅動器,雙極互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 先進互補金屬氧化物半導體,三狀態輸出16-BIT透明的閉鎖,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 先進互補金屬氧化物半導體,三狀態輸出16-BIT透明的閉鎖,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 互補金屬氧化物半導體數字的三狀態輸出八進制閉鎖晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,四重S-R閉鎖裝置,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體4-BIT二元全加速晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96761-1996 雙極的互補金屬氧化物半導體,1行到8行時鐘驅動器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 雙極的互補金屬氧化物半導體,計時和等待狀態發生器電路,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 互補金屬氧化物半導體,16-BIT的25歐姆串聯電阻器母線接收器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的16比特D型總線接收器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,雙2比特雙穩定易被識破的止動銷,高速互補金屬氧化物半導體數字微型電路
DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 硅單塊帶8比特可擦與可編程只讀存儲的互補高性能金屬氧化物半導體結構微控制器,數字微型電路
DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,四重2輸入與非施密特觸發器,硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95844 REV F-2003 雙極互補金屬氧化物半導體,3.3伏特非倒相八角緩沖器或三狀態輸出驅動器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 裝有32千比特紫外線消除式可程序化只讀存儲器的8比特金屬氧化物半導體微處理器,N溝道數字微型電路
DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 雙極的互補金屬氧化物半導體,四重母線三狀態輸出緩沖器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 互補金屬氧化物半導體,八角透明的D類三狀態輸出閉鎖裝置,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的16比特D型邊緣觸發緩沖器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-90976-1992 硅單塊帶隨機存取存儲器芯片數據的8比特微控制器,互補高性能金屬氧化物半導體結構單芯片,微型電路
DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 硅單塊互補金屬氧化物半導體8K X 8比特記名診斷的可程序化只讀存儲器,數字主儲存器微型電路
DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 硅單塊帶輸出放大器的互補金屬氧化物半導體8比特數字至模擬轉換器,直線式微型電路
DLA SMD-5962-95831 REV D-2007 雙極互補金屬氧化物半導體,3.3伏特八角觸發D類三狀態輸出雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95832 REV C-2003 雙極互補金屬氧化物半導體,3.3伏特八角觸發D類三狀態輸出雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 硅單塊帶32K比特可擦除可編程只讀存儲器的8比特微控制器,互補高性能金屬氧化物半導體結構單芯片,數字微型電路
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的九比特D緩沖器,正極邊緣觸發器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的九比特D緩沖器,正極邊緣觸發器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 硅單塊帶晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入的3到8陣列譯碼器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,八進制易識破的止動銷,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,8-BIT連續平行轉換寄存器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,4-BIT上下二元同步計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,9-BIT奇偶發生器或監測器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 抗輻射互補金屬氧化物半導體非倒相八角雙向的三狀態輸出母線,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 抗輻射互補金屬氧化物半導體非倒相八角雙向的三狀態輸出母線,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 雙極的互補金屬氧化物半導體,8-BIT到9-BIT三狀態輸出母線收發器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96747-1997 雙極的互補金屬氧化物半導體,8-BIT雙向的數據總線掃描路徑選擇器晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 線性單硅片微電路,由抗輻射的互補金屬氧化物半導體結構組成,帶雙刀雙綁模擬開關
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,同步重設置,四比特可重設置二進制計數器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,三態輸出,帶同步重設置的八比特診斷式自動記錄器,高速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,可預設置的同步4比特二進制升值或降值計數器,高速互補金屬氧化物半導體數字微型電路
DLA SMD-5962-95662 REV B-1998 互補金屬氧化物半導體數字的三狀態輸入八進制D雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95663 REV C-2000 抗輻射高速互補金屬氧化物半導體數字的8-BIT連續或平行改變寄存器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 硅單塊八進制D型邊沿觸發的觸發器,晶體管-晶體管邏輯電路兼容,雙極互補金屬氧化物半導體數字微型電路
DLA SMD-5962-96555 REV B-2001 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,可預先設置同步4-BIT二元計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96586 REV A-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,非倒相六角緩沖器或線路驅動器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96587 REV A-2006 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,非倒相六角緩沖器或線路驅動器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96714 REV C-2000 抗輻射互補金屬氧化物半導體,可設置的四重J-K雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 雙極的互補金屬氧化物半導體,10-BIT母線接口D類三狀態輸出閉鎖裝置,晶體管兼容輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-95742 REV C-1999 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,二進制編碼的十進制同步計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95743 REV A-1998 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,同步可預先調整的4-BIT二元計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,非同步重設置,四比特可重設置二進制計數器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 高級雙極數字單硅片微電路,由互補金屬氧化物半導體結構組成,帶三態輸出的18比特總線收發器,采用晶體管-晶體管邏輯兼容輸入
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 數字的先進雙極互補金屬氧化物半導體,18-BIT母線接口和雙穩態多諧振蕩器轉化輸出晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95758 REV B-2000 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,八角陽性觸發的D類三狀態輸出雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 數字的先進雙極互補金屬氧化物半導體,18-BIT無線電收發自主式自動導航系統,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 硅單塊帶晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入和三態輸出的八進制接收器,高級互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的八進制接收器,高級雙極互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出的緩沖器或鐘驅動器,快速互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-96547 REV C-2007 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,雙重2行到4行解碼器或信號分離器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95756 REV B-2000 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,可預先調整的同步4-BIT二元上下計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,可設置的雙重J-K雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95771 REV A-1998 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,同步二進制編碼的十進制上下計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 雙極互補金屬氧化物半導體,3.3伏特16-BIT透明的三狀態輸出D類閉鎖裝置,晶體管輸入硅單片電路數字微電路
DLA SMD-5962-96563 REV A-2001 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,同步4-BIT上下二進制編碼的十進制計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-96565 REV A-2001 抗輻射數字的互補金屬氧化物半導體,同步4-BIT上下二進制編碼的十進制計數器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-95748 REV C-1999 高速抗輻射互補金屬氧化物半導體,八角D類陽性觸發三狀態輸出雙穩態多諧振蕩器,晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-94673 REV A-2007 數字的先進雙極互補金屬氧化物半導體,八進制緩沖器或25歐姆線路激勵器串聯電阻器,和轉化輸出晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-94697 REV C-1998 數字的先進雙極互補金屬氧化物半導體,八進制緩沖器或25歐姆線路激勵器串聯電阻器,和轉化輸出晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-94698-1996 數字的先進雙極互補金屬氧化物半導體,18-BIT無線電收發和寄存器自主式自動導航系統,和轉化輸出晶體管兼容輸入硅單片電路線型微電路
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶三態輸出八進制記名的無線電收發機,雙極互補金屬氧化物半導體數字微型電路
DLA SMD-5962-91725-1994 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸出,帶八進制D型止動栓的掃描測試裝置,雙極互補金屬氧化物半導體,數字微型電路
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 硅單塊晶體管-晶體管邏輯電路兼容輸入,帶倒轉三態輸出的八進制總線接收器,雙極互補金屬氧化物半導體,數字微型電路

國際電工委員會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

IEC TS 62607-8-2:2021 納米制造關鍵控制特性第8-2部分:納米金屬氧化物界面器件熱激去極化電流極化特性的試驗方法
IEC TS 62607-8-3:2023 納米制造關鍵控制特性第 8-3 部分：納米金屬氧化物界面器件模擬電阻變化和電阻波動：電阻測量
IEC TS 62607-8-1:2020 納米制造.關鍵控制特性.第8-1部分:納米金屬氧化物界面器件.用熱刺激電流測定缺陷狀態的試驗方法
IEC 61643-331:2020 RLV 低壓浪涌保護元件第331部分:金屬氧化物壓敏電阻器（MOV）的性能要求和試驗方法

國家質檢總局，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

GB/T 41917-2022 納米技術電子自旋共振（ESR）法檢測金屬氧化物納米材料產生的活性氧（ROS）
GB/T 18802.331-2024 低壓電涌保護器元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻（MOV）的性能要求和試驗方法
GB/T 12690.16-2010 稀土金屬及其氧化物中非稀土雜質化學分析方法第16部分：氟量的測定離子選擇性電極法

PH-BPS，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

PNS ISO/TS 18827:2021 納米技術.測量金屬氧化物納米材料產生的活性氧（ROS）的電子自旋共振（ESR）方法

美國電氣電子工程師學會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

IEEE Std C62.33-2016 金屬氧化物變阻器電涌保護元件測試方法和性能值的 IEEE 標準
IEEE PC62.33/D6, September 2016 IEEE 批準的金屬氧化物壓敏電阻浪涌保護元件測試方法和性能值標準草案

國際標準化組織，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

ISO/TS 18827:2017 納米技術. 金屬氧化物納米材料產生活性氧(ROS)的電子自旋共振(ESR)測量方法

KR-KS，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

KS C ISO TS 18827-2021 納米技術 - 電子自旋共振（ESR）作為測量由金屬氧化物納米材料產生的活性氧（ROS）的方法

法國標準化協會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

NF EN IEC 61643-331:2020 低壓避雷器元件 - 第 331 部分：金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 的性能要求和測試方法
NF C61-743-331*NF EN IEC 61643-331:2018 低壓電涌保護器元件第331部分：金屬氧化物變阻器（MOV）的性能要求和測試方法

歐洲電工標準化委員會，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

EN IEC 61643-331:2018 低壓電涌保護器元件第331部分：金屬氧化物變阻器（MOV）的性能要求和測試方法

ES-UNE，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

UNE-EN IEC 61643-331:2020 低壓浪涌保護元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻(MOV)的性能要求和測試方法

DIN，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

DIN EN IEC 61643-331:2020 低壓電涌保護裝置元件第331部分：金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 的性能要求和試驗方法 (IEC 61643-331:2017)

IEC - International Electrotechnical Commission，關于金屬氧化物的贗電容特性的標準

IEC 61643-331:2017 低壓電涌保護器用元器件—第331部分：金屬氧化物變阻器（MOV）的性能要求和試驗方法（2.0版）