氧化物半導體具有工藝溫度低、透明度好、薄膜可大面積生長、電子遷移率高、能帶隙寬等優點，這些優點使其適用于內存驅動電路以及基于高性能薄膜晶體管的邏輯電路。隨著人們對實現具有新功能和超強計算能力的新型計算架構越來越感興趣，開發高性能氧化物半導體晶體管以實現兼容CMOS 后端工藝的單片三維集成電路已迫在眉睫。 ...
四、功率半導體器件分類功率半導體按照不同的分類標準可以進行如下分類：1．按照控制特性分類不控型器件：即正向導通反向阻斷，如常見的功率二極管；半控型器件：除了正負極，還有控制極，一旦開通無法通過控制極（柵極）關斷，這類主要是指晶閘管（Thyristor）和它的派生器件；全控型器件：可通過柵極控制開關，常見的有雙極結型晶體管（BJT）、柵極關斷晶閘管（GTO）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET...
MC14433是單片CMOS31/2雙積分型A/D轉換器，該A/D轉換器的轉換精度高達±0.05%±1字；轉換速率為2-25次/秒；輸入阻抗大于1000M歐；外圍元件少，電路結構簡單；量程為1.999V和199.9mV兩檔；輸出8421BCD代碼，經譯碼后實際LED動態掃描顯示。...
據日本國家信息通信技術研究所和東京工業大學研究人員報道，一種具有56GHz信號鏈帶寬的新型D波段硅互補金屬氧化物半導體（CMOS）收發器芯片組，實現了無線最高傳輸速度640Gbps。該成果于正在美國檀香山舉行的2024年IEEE VLSI技術與電路研討會上發布。 為了以更快速度處理不斷增加的數據流量，無線系統需要在更高的毫米波頻段運行。...
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