ASTM F996-98(2003)
利用亞閾值安伏特性測定由于氧化空穴和界面態產生的電離輻射感應金屬氧化物半導體場效應晶體管閾電壓偏移分量的標準試驗方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

被代替

標準號

ASTM F996-98(2003)

發布

1998年

總頁數

7頁

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F996-10

當前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

適用范圍

柵極和場氧化物的電特性會因電離輻射而改變。電離輻射的時間依賴性和劑量率效應可以通過比較照射前和照射后的電壓變化、“Vot”和“Vot”來確定。維生素。該測試方法提供了一種評估 MOSFET 和隔離寄生 MOSFET 電離輻射響應的方法。測得的電壓變化，“Vot”和“Vot” Vit，可以提供對電離輻射響應的處理變化的有效性的測量。該技術可用于監測工藝技術的總劑量響應。
1.1 該測試方法涵蓋使用亞閾值電荷分離技術來分析金屬氧化物半導體場中柵極電介質的電離輻射退化。效應晶體管 (MOSFET) 和寄生 MOSFET 中的隔離電介質。亞閾值技術用于將電離輻射引起的反轉電壓偏移 V INV 分離為由于氧化物捕獲電荷 Vot 和界面陷阱 Vit 引起的電壓偏移。該技術使用 MOSFET 亞閾值區域中輻照前和輻照后的漏源電流與柵極電壓特性。
1.2 給出了測量 MOSFET 亞閾值電流-電壓特性和計算結果的程序。
1.3 該測試的應用該方法要求 MOSFET 有襯底（體）接觸。
1.4 輻照前和輻照后 MOSFET 亞閾值源極或漏極曲線必須遵循對柵極電壓的指數依賴關系（至少 20 倍電流）。
1.5 以 SI 單位給出的值應被視為標準值。本測試方法中不包含其他測量單位。
1.6 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

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