ASTM F76-08(2016)
測量電阻率和霍爾系數和測定單晶半導體中霍爾遷移率的標準試驗方法

Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors

被代替

ASTM F76-08(2016) 發布歷史

ASTM F76-08(2016)由美國材料與試驗協會 US-ASTM 發布于 2008。

ASTM F76-08(2016)在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。

ASTM F76-08(2016) 測量電阻率和霍爾系數和測定單晶半導體中霍爾遷移率的標準試驗方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 ASTM F76-08(2016)e1 。

ASTM F76-08(2016)的歷代版本如下：

• 2016年 ASTM F76-08(2016)e1 測量單晶半導體電阻率和霍爾系數及測定霍爾遷移率的標準試驗方法
• 2008年 ASTM F76-08(2016) 測量電阻率和霍爾系數和測定單晶半導體中霍爾遷移率的標準試驗方法
• 2008年 ASTM F76-08 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法
• 1986年 ASTM F76-86(2002) 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法
• 1986年 ASTM F76-86(1996)e1 測量單晶半導體的電阻率、霍爾系數及霍爾遷移率的試驗方法

1.1 這些測試方法涵蓋了測量單晶半導體樣品的電阻率和霍爾系數的兩個程序。這些測試方法的最大區別在于其測試樣本的要求。

1.1.1 測試方法A，van der Pauw (1)8201;2—該測試方法需要單個連接的測試樣本（沒有任何孤立的孔），厚度均勻，但形狀任意。觸點必須足夠小并且位于樣本的外圍。對于其傳導由單一類型的載流子主導的各向同性半導體，該測量最容易解釋。

1.1.2“測試方法 B，平行六面體或橋式”該測試方法需要厚度均勻且具有指定形狀的樣本。平行六面體和橋幾何形狀都指定了接觸要求。這些測試樣本的幾何形狀對于各向異性半導體來說是理想的，因為測量的參數取決于電流的方向。當傳導由單一類型的載體主導時，該測試方法也最容易解釋。 1.2 這些測試方法不提供成型、清潔或接觸樣本的程序；然而，給出了驗證接觸質量的程序。注 1：實踐 F418 涵蓋砷化鎵磷化物樣品的制備。

1.3 實踐中的方法 F418 沒有提供基本半導體特性（例如，多數和少數載流子遷移率和密度）方面結果的解釋。附錄中提供了一些適用于某些半導體和溫度范圍的一般指南。然而，在大多數情況下，解釋權留給用戶。 1.4 8201 的實驗室間測試；這些測試方法（第 19 節）僅在有限的電阻率范圍內進行，并且適用于半導體、鍺、硅和砷化鎵。然而，只要已知合適的樣品制備和接觸程序，該方法也適用于其他半導體。該方法適用的電阻率范圍受到測試樣本幾何形狀和儀器靈敏度的限制。

標準號

ASTM F76-08(2016)

發布

2008年

總頁數

14頁

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F76-08(2016)e1

當前最新

ASTM F76-08(2016)e1

 

 

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