ASTM F76-08(2016)
測量電阻率和霍爾系數和測定單晶半導體中霍爾遷移率的標準試驗方法
Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors
- 標準號
- ASTM F76-08(2016)
- 發布
- 2008年
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 替代標準
- ASTM F76-08(2016)e1
- 當前最新
- ASTM F76-08(2016)e1
1.1 這些測試方法涵蓋了測量單晶半導體樣品的電阻率和霍爾系數的兩個程序。這些測試方法的最大區別在于其測試樣本的要求。 1.1.1 測試方法A，van der Pauw (1)8201;2—該測試方法需要單個連接的測試樣本（沒有任何孤立的孔），厚度均勻，但形狀任意。觸點必須足夠小并且位于樣本的外圍。對于...