懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相、分子束外延等。...
砷化鎵和磷化銦等材料的薄層具有負阻特性,因而無需P-N結就可以產生微波振蕩。它的工作原理與通常由P-N結組成的半導體器件不同,它不是利用載流子在P-N結中運動的特性,而是利用載流子在半導體的體內運動的特性,是靠砷化鎵等材料“體”內的一種物理效應工作的,所以這類器件被稱為體效應二極管或耿氏二極管(以發明者Gunn命名)。 在實驗中觀察到,若在一塊N型砷化鎵單晶的兩端加上直流電壓。...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純硅單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用于制備砷化鎵單晶,而垂直定向結晶法用于制備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。...
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