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SJ/T 11499-2015
碳化硅單晶電學性能的測試方法

Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide

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標準號: SJ/T 11499-2015
發布日期: 2015年04月30日
實施日期: 2015年10月01日
廢止日期: 無
中國標準分類號: H83
國際標準分類號: 29.045
發布單位: CN-SJ

適用范圍: 本標準規定了碳化硅晶體材料導電類型、電阻率、遷移率、載流子濃度的測試方法。本標準適用于在(-263.15~426.85)℃溫度范圍內,電阻率在1×10⁵ Ω·cm以下、晶型為6H和4H的碳化硅單晶的電學性能測試。

SJ/T 11499-2015 中可能用到的儀器設備

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