ASTM F2182-11
測定在磁共振成像中靠近被植入物導致發熱的無線電頻率的標準試驗方法

Standard Test Method for Measurement of Radio Frequency Induced Heating Near Passive Implants During Magnetic Resonance Imaging

被代替

標準號

ASTM F2182-11

發布

2011年

發布單位

美國材料與試驗協會

替代標準

ASTM F2182-11a

當前最新

ASTM F2182-19e2

 

 

引用標準

ASTM F2052 ASTM F2119 ASTM F2213 ASTM F2503

適用范圍

該測試方法描述了用于評估與涉及植入物的特定射頻輻射頻率的 MR 程序相關的 RF 引起的溫升的測試程序。加熱測量進行兩次，一次使用植入物，然后在沒有植入物的同一位置重復測量。這兩項測量可估算植入物的局部 SAR 和局部額外溫升。如果存在與植入物相關的顯著溫升，則結果可以用作計算模型的輸入以估計患者體內的溫升。然后可以將測試結果和計算模型結果的組合提供給監管機構和醫生，以評估在MR掃描期間帶有植入物的患者的安全性。
1.1 本測試方法涵蓋磁共振成像 (MRI) 過程中對無源醫療植入物及其周圍環境或其周圍的射頻 (RF) 感應加熱的測量。
1.2 該測試方法是確定無源植入物的存在是否可能對 MR 手術期間植入植入物的患者造成傷害所需的方法之一。其他應解決的安全問題包括磁感應位移力和扭矩。
1.3 對于給定的比吸收率 (SAR)，射頻引起的溫升量將取決于射頻頻率，而射頻頻率又取決于 MR 系統的靜磁場強度。由于可能會產生額外的熱量，特別是當植入物尺寸接近或超過體模內部射頻場波長的四分之一時，在一種靜態磁場強度下進行的測量得出的結論不適用于其他場強和頻率。雖然該測試方法的重點是 1.5 T 或 3 Tesla 圓柱孔 MR 系統，但開放式 MR 系統中植入物的 RF 引起的溫升可以通過對本文描述的方法進行適當修改來評估。
1.4 該測試方法假設測試是在完全位于體內的設備上進行的。對于其他植入條件（例如，外部固定裝置、經皮針、導管或系留裝置，如消融探針），需要對該測試方法進行修改。
1.5 本測試方法適用于 IEC 標準 60601-2-33 第 2.2.103 節定義的全身磁共振設備。 2.0，具有第 2.2.100 節中定義的全身射頻發射線圈。假設射頻線圈具有正交激勵。
1.6 以 SI 單位表示的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.7 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

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