BS IEC 60747-8-4-2004
半導體分立器件.電力開關設備的金屬氧化物半導體場效應晶體管

Discrete semiconductor devices - Metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications

BS IEC 60747-8-4-2004 發布歷史

Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off) type.

BS IEC 60747-8-4-2004由英國標準學會 GB-BSI 發布于 2004-11-09，并于 2004-11-09 實施。

BS IEC 60747-8-4-2004 在中國標準分類中歸屬于: L56 半導體集成電路，在國際標準分類中歸屬于: 31.080.30 三極管。

BS IEC 60747-8-4-2004的歷代版本如下：

• 2004年11月09日 BS IEC 60747-8-4-2004 半導體分立器件.電力開關設備的金屬氧化物半導體場效應晶體管

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標準號

BS IEC 60747-8-4-2004

發布日期

2004年11月09日

實施日期

2004年11月09日

廢止日期

無

中國標準分類號

L56

國際標準分類號

31.080.30

發布單位

GB-BSI

適用范圍

Gives details for the following categories of metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with inverse diodes: type B depletion (normally on) type and Type C enhancement (normally off) type.

BS IEC 60747-8-4-2004系列標準