四、功率半導體器件分類功率半導體按照不同的分類標準可以進行如下分類:1.按照控制特性分類不控型器件:即正向導通反向阻斷,如常見的功率二極管;半控型器件:除了正負極,還有控制極,一旦開通無法通過控制極(柵極)關斷,這類主要是指晶閘管(Thyristor)和它的派生器件;全控型器件:可通過柵極控制開關,常見的有雙極結型晶體管(BJT)、柵極關斷晶閘管(GTO)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET...
標準電壓下的耗盡型場效應管。從左到右依次依次為:結型場效應管,多晶硅金屬—氧化物—半導體場效應管,雙柵極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬柵極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。 耗盡層 , 電子 , 空穴 ,金屬,絕緣體. 上方:源極,下方:漏極,左方:柵極,右方:主體。電壓導致溝道形成的細節沒有畫出 摻雜FET(解釋如下)的溝道用來制造N型半導體或P型半導體。...
當第一階段達到滿負荷時,旗下功率半導體產能將是2021財年的2.5倍( 200和300毫米晶圓制造能力的總和,相當于200毫米)。 功率器件是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。當前汽車電氣化和工業設備自動化的需求正在擴大,對低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
集成電路的發展目標已經由提升性能和集成度轉變為降低功耗,其最有效的方法即降低工作電壓。目前,互補金屬氧化物半導體(CMOS)集成電路(14/10納米技術節點)工作電壓已經降低到了0.7V,而金屬氧化物半導體場效應晶體管中亞閾值擺幅(60毫伏/量級)的熱激發限制導致其工作電壓不能低于0.64V。...
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