2、 晶體管①雙極晶體管②FET(Fidld Effect Transistor:場效應管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體管)3、 晶閘管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端雙向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:柵極光閉晶閘管...
當第一階段達到滿負荷時,旗下功率半導體產能將是2021財年的2.5倍( 200和300毫米晶圓制造能力的總和,相當于200毫米)。 功率器件是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。當前汽車電氣化和工業設備自動化的需求正在擴大,對低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等等。...
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。按照分類來看,功率半導體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類,其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產品。近年來,功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多市場,市場規模呈現穩健增長態勢。...
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