ASTM F1711-96(2008)
使用四點探測法測定專業平板顯示器用薄膜導線的薄膜電阻的標準實施規程

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適用范圍: 1.1 本實踐描述了測量沉積在大型絕緣基板上的濺射導電薄膜的薄層電阻的方法，該薄膜用于制造平板信息顯示器。假設導電薄膜的厚度比用于測量薄層電阻的接觸探針的間距薄得多。
1.2 本標準旨在與測試方法 F 390.1.3 薄層電阻率在 0.5 至 0.5 范圍內一起使用。通過這種做法可以測量每平方 5000 歐姆。假定被探測區域的薄層電阻是均勻的。
1.4 此做法僅適用于平坦表面。
1.5 此做法涵蓋 1.5 mm 至 5.0 mm（含 0.059 至 0.197）的探針間距。
1.6 該方法在這種做法中，可能會對進行測量的直接區域中的薄膜造成破壞。因此，測試的區域應具有基板功能部分的特征，但應遠離關鍵活性區域。該方法適用于表征與感興趣的基材同時處理的虛擬測試基材。
1.7 以SI 單位表示的值應被視為標準。括號中給出的值僅供參考。
1.8 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

ASTM F1711-96(2008)使用四點探測法測定專業平板顯示器用薄膜導線的薄膜電阻的標準實施規程