ASTM E521-96
用帶電粒子照射法模擬中子輻射損害的規程

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適用范圍: 1.1 本實踐為金屬和合金的帶電粒子輻照提供了指導。它通常僅限于使用停留在樣品中的低穿透力離子進行的微觀結構和微觀化學變化的研究。可以直接測量密度變化，并可以推斷其他特性的變化。該信息可用于估計中子輻照引起的類似變化。更一般地說，這些信息對于推斷各種材料和輻照條件的輻射損傷的基本機制很有價值。
1.2 此處使用的“模擬”一詞具有廣義含義，意指相關中子輻照環境的近似值。一致性程度可以從很差到幾乎完全一致。目的是在中子和帶電粒子輻照的一個或多個方面之間產生對應關系，以便在輻照或材料參數與材料響應之間建立基本關系。
1.3 實踐如下：章節設備 4 樣品制備 5-10 輻照技術（包括氦注入） 11-12 損傷計算 13 輻照后檢查 14-16 結果報告 17 相關性和解釋 18-22 1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。

ASTM E521-96用帶電粒子照射法模擬中子輻射損害的規程