ASTM F673-90(1996)e1
用非接觸渦流儀測定半導體膜片的電阻率的標準試驗方法
Standard Test Methods for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gage
- 標準號
- ASTM F673-90(1996)e1
- 發布
- 1990年
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 替代標準
- ASTM F673-02
- 當前最新
- ASTM F673-02
- 引用標準
- ASTM E1 ASTM F374 ASTM F533 ASTM F81 ASTM F84
- 適用范圍
- 1.1 這些測試方法涵蓋了硅和某些砷化鎵切片的體電阻率的無損測量，以及使用非接觸式渦流在有限范圍的基板上在切片中心點制造的硅或砷化鎵薄膜的薄層電阻的無損測量。電流表。
1.1.1 測量在 18 至 28176C 之間的室溫下進行。
1.2 這些測試方法目前僅限于單晶和多晶硅以及外導電砷化鎵塊狀樣品或在相對高電阻率基底上制造的硅或砷化鎵薄膜，但原則上可以擴展到覆蓋其他半導體材料。
1.2.1 塊狀硅或砷化鎵樣品可以是單晶或多晶，并且可以是切片（圓形或其他形狀）形式的導電類型（p 或 n），沒有擴散或其他導電層在其上制造，沒有裂紋、空隙或其他結構不連續性，并且 (1) 通過切片中心點測量的邊到邊尺寸不小于 25 毫米（1.00 英寸）； (2)厚度在0.1至1.0毫米(0.004至0.030英寸)范圍內，包括端值，以及(3)電阻率在0.001至200Ωcm范圍內，包括端值。并非所有厚度和電阻率的組合都是可測量的。該儀器從根本上限于固定的薄層電阻范圍，如 1.2.2 中給出的；另見 9.3。
1.2.2 硅或砷化鎵薄膜可以通過擴散、外延或離子注入工藝制造。該層的薄層電阻應在2至3000Ω每平方的標稱范圍內。其上制造薄膜的基板的最小邊到邊尺寸應為 25 毫米（通過中心點測量），有效薄層電阻至少為薄膜電阻的 1000 倍。體襯底的有效薄層電阻是其體電阻率(以Ωcm為單位)除以其以cm為單位的厚度。
1.2.3 測量結果不受樣品表面光潔度的影響。
1.3 這些測試方法要求使用電阻率標準來校準設備（見 7.1），并使用一組參考樣本來鑒定設備（見 7.2）。
1.4 以 SI 單位表示的數值應被視為標準。括號中給出的值僅供參考。
1.5 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。
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