ASTM F673-90(1996)e1
用非接觸渦流儀測定半導體膜片的電阻率的標準試驗方法
Standard Test Methods for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gage
ASTM F673-90(1996)e1 中，可能用到以下儀器設備
- 標準號
- ASTM F673-90(1996)e1
- 發布
- 1990年
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 替代標準
- ASTM F673-02
- 當前最新
- ASTM F673-02
- 引用標準
- ASTM E1 ASTM F374 ASTM F533 ASTM F81 ASTM F84
- 1.1 這些測試方法涵蓋了硅和某些砷化鎵切片的體電阻率的無損測量，以及使用非接觸式渦流在有限范圍的基板上在切片中心點制造的硅或砷化鎵薄膜的薄層電阻的無損測量。電流表。 1.1.1 測量在 18 至 28176C 之間的室溫下進行。 1.2 這些測試方法目前僅限于單晶和多晶硅以及外導電砷化鎵塊狀樣品或在相對高電阻率基底上制造的硅或砷化鎵薄膜，但原則上可以擴展到...
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