<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>

GB/T 20175-2006
表面化學分析.濺射深度剖析.用層狀膜系為參考物質的優化方法

Surface chemical analysis.Sputter depth profiling.Optimization using layered systems as reference materials

GBT20175-2006, GB20175-2006

表面化學分析.濺射深度剖析.用層狀膜系為參考物質的優化方法, 您可以免費下載預覽頁

預覽 GB/T 20175-2006前三頁

標準號: GB/T 20175-2006
別名: GBT20175-2006, GB20175-2006
發布: 2006年
采用標準: ISO 14606:2000 IDT
發布單位: 國家質檢總局
當前最新: GB/T 20175-2006

適用范圍: 為使俄歇電子能譜、X射線光電子能譜和二次離子質譜的儀器設定達到深度分辨的優化目的，本標準采用適當的單層和多層膜系參考物質，提供優化濺射深度剖析參數的指南。特殊多層膜系（如各種摻雜層膜系）的使用不包括在本標準內。

GB/T 20175-2006相似標準

GB/T 41064-2021 表面化學分析深度剖析用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法 ISO 14606:2000 表面化學分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質的優化方法 ISO 14606:2015 表面化學分析濺射深度剖析用層狀膜系為參考物質的優化方法 AS ISO 14606:2006 表面化學分析．濺射深度剖析．用層狀膜系為參考物質的優化方法 NF X21-062*NF ISO 14606:2008 表面化學分析濺射深度剖析層狀膜系作為參考物質的優化方法

推薦

X射線光電子能譜技術（XPS）的歷史、原理及應用

4、元素沿深度方向的分布分析Ar?離子剝離深度分析方法是一種使用最廣泛的深度剖析方法。它是先把表面一定厚度的元素濺射掉,然后用XPS?分析剝離后的表面元素含量,從而獲得元素沿樣品深度方向的分布。這是一種破壞性分析方法,會引起樣品表面晶格損傷,擇優濺射和表面原子混合等現象。但其優點是可以分析表面層較厚的體系,深度分析速度快。...

GB/T 20175-2006 中可能用到的儀器設備

俄歇電子能譜（AES） X射線能譜儀(EDS) X光電子能譜儀(XPS/ESCA) 二次離子質譜/離子探針透射電鏡TEM 其它光學測量儀光鑷（光學鑷子）光學平臺其他試驗機離子濺射儀鍍膜機化學合成儀分子束外延(MBE) 其他包裝業專用信號采集處理原子層沉積(ALD) 化學氣相沉積（CVD）半導體專用檢測儀器設備

誰引用了GB/T 20175-2006 更多引用

GB/T 25184-2010 X射線光電子能譜儀鑒定方法

Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號

<td id="ccaac"></td>

<table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>