• <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>

    • ISO 14606:2000
    表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質的優化方法

    Surface chemical analysis - Sputter depth profiling - Optimization using layered systems as reference materials


     

     

    非常抱歉，我們暫時無法提供預覽，您可以試試： 免費下載 ISO 14606:2000 前三頁，或者稍后再訪問。

    您也可以嘗試購買此標準，
    點擊右側 “立即購買” 按鈕開始采購（由第三方提供）。

     

    標準號
    ISO 14606:2000
    發布
    2000年
    中文版
    GB/T 20175-2006 (等同采用的中文版本)
    發布單位
    國際標準化組織
    替代標準
    ISO 14606:2015
    當前最新
    ISO 14606:2022
     
     
    適用范圍
    本國際標準為使用適當的單層和多層參考材料優化濺射深度分析參數提供了指導，以便根據俄歇電子能譜、X射線光電子能譜和二次離子質量中的儀器設置實現最佳深度分辨率光譜測定法。 本國際標準無意涵蓋特殊多層系統的使用，例如δ摻雜層。

    ISO 14606:2000相似標準

    GB/T 41064-2021 表面化學分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法 GB/T 20175-2006 表面化學分析.濺射深度剖析.用層狀膜系為參考物質的優化方法 AS ISO 14606:2006 表面化學分析．濺射深度剖析．用層狀膜系為參考物質的優化方法 NF X21-062*NF ISO 14606:2008 表面化學分析 濺射深度剖析 層狀膜系作為參考物質的優化方法 GB/T 29557-2013 表面化學分析 深度剖析 濺射深度測量

    推薦

    X射線光電子能譜技術（XPS）的歷史、原理及應用

    4、元素沿深度方向的分布分析Ar?離子剝離深度分析方法是一種使用最廣泛的深度剖析方法。它是先把表面一定厚度的元素濺射掉,然后用XPS?分析剝離后的表面元素含量,從而獲得元素沿樣品深度方向的分布。這是一種破壞性分析方法,會引起樣品表面晶格損傷,擇優濺射和表面原子混合等現象。但其優點是可以分析表面層較厚的體系,深度分析速度快。...

    誰引用了ISO 14606:2000 更多引用

    GB/T 41064-2021 表面化學分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜中深度剖析濺射速率的方法 ASTM E2735-14(2020) 用于選擇X射線光電子能譜所需校準的標準指南 BS ISO 17109:2015 表面化學分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質譜法濺射深度剖析中濺射率的方法 ISO 17109:2015 表面化學分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質譜法濺射深度剖析中濺射率的方法 ASTM E2735-14 選擇X射線光電子光譜40;XPS41試驗所需校準的標準指南


    Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
    京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證：京ICP證110310號

  • <li id="ccaac"></li>
  • <table id="ccaac"><rt id="ccaac"></rt></table>
  • <td id="ccaac"></td>
  • <td id="ccaac"></td>
    • 床戏视频