IEC 60747-9/AMD1:2001由國際電工委員會 IX-IEC 發布于 2001-08,于 2007-09 廢止。
IEC 60747-9/AMD1:2001 在中國標準分類中歸屬于: L56 半導體集成電路,在國際標準分類中歸屬于: 31.080.30 三極管。
IEC 60747-9/AMD1:2001 半導體器件 分立器件 第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBTS) 修改1的最新版本是哪一版?
最新版本是 IEC 60747-9:2019 。
IEC 60747-9/AMD1:2001 于 2007-09 變更為 IEC 60747-9:2007 半導體裝置.分立器件.第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)。
該標準是半導體器件 - 第 9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT);修正案1。
)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等等。...
常用到的功率半導體器件有Power Diode(功率二極管)、SCR(晶閘管)、GTO(門極可關斷晶閘管)、GTR(大功率電力晶體管)、BJT(雙極晶體管)、MOSFET(電力場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、SIT(靜電感應晶體管)、BSIT(雙極型靜電感應晶體管)、SITH(靜電感應晶閘管)、MCT(MOS控制晶閘管)、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IEGT(電子注入增強柵晶體管)...
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這有助于減少傳導和開關損耗,工作頻率一般也要比硅器件高10倍以上。此外,碳化硅半導體還有的固有的強抗輻射能力。 近年利用碳化硅材料制作的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等功率器件,已可采用少子注入等工藝,使其通態阻抗減為通常硅器件的十分之一。再加上碳化硅器件本身發熱量小,因而碳化硅器件的導熱性能極優。還有,碳化硅功率器件可在400℃的高溫下正常工作。其可利用體積微小的器件控制很大的電流。...
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