找不到引用IEC 60747-9/AMD1:2001 的標準
當第一階段達到滿負荷時,旗下功率半導體產能將是2021財年的2.5倍( 200和300毫米晶圓制造能力的總和,相當于200毫米)。 功率器件是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現碳中和社會的重要組件。當前汽車電氣化和工業設備自動化的需求正在擴大,對低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等等。...
【引言】原子級厚度的二維(2D)半導體由于量子限域效應而具有特殊的光電特性,極薄的厚度也使它們的性質極易受到外部環境、電場條件等的調制,因而在各種功能電子器件方面受到了廣泛的關注。通過高κ介質材料、離子液體或凝膠以及鐵電(FE)極化等進行調制,二維半導體可從半導體調節到金屬態或絕緣體,應用于諸如晶體管、邏輯反相器、存儲器、發光二極管和光電探測器等具有不同結構和功能的器件中。...
:2012/AMD1:2019 ED1高壓直流換流站可聽噪聲High voltage direct current (HVDC) substation audible noise中國電力科學研究院有限公司29TC122IEC TS 63042-101:2019 ED1特高壓交流輸電系統-第101部分:特高壓交流輸電系統電壓調節與絕緣設計UHV AC transmission systems - Part...
Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號