GB/T 41751-2022
氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
GBT41751-2022, GB41751-2022
GB/T 41751-2022 發布歷史
GB/T 41751-2022由國家質檢總局 CN-GB 發布于 2022-10-14，并于 2023-02-01 實施。
GB/T 41751-2022 在中國標準分類中歸屬于: H21 金屬物理性能試驗方法，在國際標準分類中歸屬于: 77.040 金屬材料試驗。
GB/T 41751-2022 發布之時，引用了標準
- GB/T 14264 半導體材料術語
GB/T 41751-2022的歷代版本如下：
- 2022年 GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法
本文件規定了利用高分辨X射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。 本文件適用于化學氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試,氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進行。
- 標準號
- GB/T 41751-2022
- 別名
- GBT41751-2022
GB41751-2022 - 發布
- 2022年
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 41751-2022
- 引用標準
- GB/T 14264