GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的測試 激光散射法
Laser Scattering Method for Testing Surface Defects of Silicon Carbide Epitaxial Wafers
GBT42902-2023, GB42902-2023
GBT 42902—2023：碳化硅外延片表面缺陷激光散射測試方法標準解讀
1. 標準范圍與適用性
本標準適用于4H-SiC外延片的表面缺陷測試，描述了利用激光散射法進行檢測的具體方法。
2. 標準框架對比
| 標準維度 | GBT 42902—2023 | 對比標準 |
|---|---|---|
| 適用范圍 | 4H-SiC外延片表面缺陷測試 | - |
| 檢測方法 | 激光散射法 | 其他光學檢測方法 |
| 核心術語 | 掉落顆粒物缺陷、三角形缺陷等 | - |
3. 專業術語解釋與實際案例
三角形缺陷：在外延生長過程中，由于襯底表面存在外來顆粒物或晶體缺陷，導致晶型邊界變形，形成外觀呈三角形的表面缺陷。其在光致發光通道中呈現三角形形狀，在表面通道中則顯示一條或多條邊，與主參考邊接近垂直。
實際案例：某實驗室在外延層厚度為10μm的4H-SiC晶片上發現了淺三角形缺陷，其頭部有明顯的3C-SiC晶型層，符合標準中對淺三角形缺陷的描述。
4. 標準制定背景與技術演進分析
隨著寬禁帶半導體材料（如碳化硅）在功率器件領域的廣泛應用，對材料質量的要求日益提高。表面缺陷是影響器件性能的關鍵因素之一，因此開發高效的缺陷檢測方法變得尤為重要。激光散射法作為一種非接觸式檢測技術，因其高靈敏度和高分辨率，在半導體行業得到了廣泛應用。
5. 實施建議
- 設備選擇：選用波長為313nm~700nm的激光器，推薦使用355nm或405nm的激光器。
- 試驗條件：溫度控制在(22±2)℃，相對濕度保持在(45±5)%，潔凈度達到ISO5級標準。
- 數據處理：缺陷數目統計需結合信號通道、形狀、大小等多維度信息進行分類。
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