GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的測試 激光散射法
Laser Scattering Method for Testing Surface Defects of Silicon Carbide Epitaxial Wafers
GBT42902-2023, GB42902-2023
- 標準號
- GB/T 42902-2023
- 別名
- GBT42902-2023, GB42902-2023
- 發布
- 2023年
- 總頁數
- 12頁
- 發布單位
- 國家質檢總局
- 當前最新
- GB/T 42902-2023
- 適用范圍
- 本文件描述了激光散射法測試碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件適用于4H-SiC外延片的表面缺陷測試。
| 術語 | 描述 |
|---|---|
| 掉落顆粒物缺陷 falling particle defect | 外延生長過程中，反應室壁上的微粒掉落到襯底或外延層上形成的點狀缺陷 |
| 三角形缺陷 triangle defect | 碳化硅外延片上呈現三角形的表面缺陷，由晶型邊界變形引起 |
| 胡蘿卜缺陷 carrot defect | 外觀呈胡蘿卜形狀的表面缺陷，與外延層厚度和襯底偏轉角度有關 |
| 梯形缺陷 trapezoid defect | 呈現梯形形狀的表面缺陷，長度隨外延層厚度增加而變化 |
| 臺階聚集缺陷 step bunching defect | 4H-SiC外延層表面上多個原子臺階匯聚形成的線條狀缺陷 |
| 彗星缺陷 comet defect | 外觀呈彗星狀的表面缺陷，通常與主參考邊平行 |
