T/CASAS 016-2022
碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）結殼熱阻瞬態雙界面測試方法

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

適用范圍: 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）因具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強、耐高溫性能好等優點，逐漸在雷達探測、醫療通訊、交通運輸以及新能源等領域廣泛應用。結殼熱阻作為表征熱量在導熱路徑傳輸能力的重要參數，是直接反映器件熱性能的關鍵技術指標之一，可以為器件的熱設計與優化改進提供參考。因而，準確的熱阻測試對于SiC MOSFET的鑒定、評價及其應用具有重要意義。

術語	描述
柵源電壓 Gate-Source Voltage	場效應晶體管柵極和源極之間的電勢差。本文件中指SiC MOSFET器件柵極和源極間加載的偏置電壓。
源漏電壓 Source-Drain Voltage	場效應晶體管源極和漏極之間的電勢差。本文件中指SiC MOSFET器件源極和漏極之間的電壓，結殼熱阻測試中選用的溫敏參數。
結溫 Junction Temperature	本文件中指SiC MOSFET器件主要熱量產生區域的半導體結溫度。
加熱功率 Heating Power	施加在器件上以產生結到參考點溫度差的功率。
溫敏參數 Temperature Sensitive Parameter	與被測半導體結溫相關的電特性參數，與結溫呈一定的函數曲線（又稱K線）關系，因而可用以表征測量結溫。
結殼熱阻 Junction-to-case Thermal Resistance	器件半導體結至封裝體外殼的溫差與熱耗功率

熱阻測試儀滿足JESD 51—14雙界面法測試標準的測試設備要求，電壓分辨率宜不低于 0.5 mV，溫度可控裝置精度宜不低于 ± 1 ℃。	用于測量半導體器件結到外殼的熱阻。