ISO 17109:2015/DAmd 1
表面化學分析 深度分析 X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜濺射深度分析中使用單層和多層薄膜的濺射速率測定方法 A...

Surface chemical analysis — Depth profiling — Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films — A...

被代替

標準號

ISO 17109:2015/DAmd 1

發布單位

國際標準化組織

替代標準

ISO 17109:2022

當前最新

ISO 17109:2022

 

 

介紹

該標準提供了一套詳細的指導方案，用于確定表面化學分析過程中采用X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質譜技術進行濺射深度分析時的單層與多層薄膜的濺射速率。它涵蓋了實驗方法、數據處理以及結果報告的相關要求，以確保不同實驗室之間獲得的數據具有良好的可比性。

***此介紹可能不準確，請注意參考原文。

專題

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