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前言硅片是半導體制造業的基礎材料,硅片表面極其少量的金屬雜質元素污染都可能導致器件的功能喪失或者可靠性變差,隨著半導體制程的不斷提高,對金屬離子污染物的控制也越來越嚴格。本實驗參考《GB∕T 39145-2020硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質譜法》,采用LabMS 3000s ICP-MS測定硅片表面雜質元素含量。...
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