T/IAWBS 015-2021
氧化鎵單晶片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法
Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate
T/IAWBS 015-2021 發布歷史
T/IAWBS 015-2021由中國團體標準 CN-TUANTI 發布于 2021-09-15，并于 2021-09-15 實施。
T/IAWBS 015-2021在國際標準分類中歸屬于: 29.045 半導體材料。
T/IAWBS 015-2021 氧化鎵單晶片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 T/IAWBS 015-2021 。
T/IAWBS 015-2021的歷代版本如下：
- 2021年 T/IAWBS 015-2021 氧化鎵單晶片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法
氧化鎵（Ga2O3）因其具有4.9 eV超寬帶隙，且具有天然的日盲紫外特性以及極高的擊穿場強獲得了廣泛關注。氧化鎵擁有日盲、耐高壓高溫、低損耗高功率等特點，在半導體功率器件及電力電子器件市場前景廣泛。氧化鎵單晶材料是氧化鎵生長最理想的襯底，對提高外延薄膜的質量，降低位錯密度，提高器件效率，延長工作壽命等方面具有不可替代的優勢。 氧化鎵單晶材料的重要性能指標之一就是結晶質量，而高分辨X射線衍射搖擺曲線半高寬測試具有快速、無損、精度高等優點，是表征氧化鎵單晶結晶質量的必要方法，編制本方法有助于規范行業內產品質量的評估，對產業的健康發展及半導體材料的標準化工作可起到重要的促進作用。
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- 標準號
- T/IAWBS 015-2021
- 發布
- 2021年
- 總頁數
- 8頁
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 015-2021