GB/T 26070-2010
化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
GBT26070-2010, GB26070-2010
GB/T 26070-2010 發布歷史
GB/T 26070-2010由國家質檢總局 CN-GB 發布于 2011-01-10，并于 2011-10-01 實施。
GB/T 26070-2010 在中國標準分類中歸屬于: H17 半金屬及半導體材料分析方法，在國際標準分類中歸屬于: 77.040.99 金屬材料的其他試驗方法。
GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 26070-2010 。
GB/T 26070-2010的歷代版本如下：
- 2011年 GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
1.1 本標準規定了亞-V族化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。 1.2 本標準適用于GaAs、InP(GaP、GaSb 可參照進行)等化合物半導體單晶拋光片亞表面損傷的測量。 2 定義
GB/T 26070-2010相似標準
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